Die Autoren erkennen freundlich finanzielle Unterstützung von der &quot;Akademischen Gesellschaft Lippstadt&quot; sowie aus dem &quot;Ministerium für Innovation, Wissenschaft und Forschung des Landes Nordrhein-Westfalen&quot;. Fotografien in den Abbildungen 1, 2 und 5 mit freundlicher Genehmigung von Markus Horstmann, Hamm-Lippstadt FH.

1. Probenvorbereitung für die Röntgen Computertomographie (CT) <ol><li> Kleber Probe (LED vgl Materialien Abschnitt) zu einem 2 mm Ø Hohl Kohlefaser bar geeigneter Länge unter Verwendung von Heißschmelzkleber. </li><li> Stellen Sie die Position der Probe durch eine Heißluftpistole, wenn nötig. Befestigen Sie die Probe in der CT-Probenkammer des Dreibackenfutter verwendet wird. </li></ol> 2. CT Messaufbau <ol><li> Führen und Zentrieren warmup Verfahren gemäß der Steuersoftware der Röntgenröhre. HINWEIS: Verwenden Sie Rohr-Steuerungssoftware von Hersteller CT und Standardprotokoll , wie vom Hersteller (vgl Materialien Abschnitt) angegeben. </li><li> Kalibrieren Strahl und Detektor Datenerfassungssoftware verwenden, wie sie in dem Abschnitt Materialien angegeben. Bestimmen Dunkelstrom und stellen Offset und Verstärkung des Detektors nach den Standardverfahren des Herstellers (siehe Materialien Abschnitt) zur Verfügung gestellt. </li><li> Stellen Sie Bildgebung parameters. Für die hier gezeigten Ergebnisse, verwenden Sie die folgenden Einstellungen: Stellen Sie Bildvergrößerung auf 36,37, Set Voxel Size auf 1,37 um eingestellt, Anzahl der Bilder, die auf 1.800 (pro 360 °), eingestellt Abbildungszeit auf 500 ms eingestellt Anzahl der gemittelten Bilder bis 3 und die Anzahl der übersprungenen Frames 1, die Bildgröße zu 2.284 x 2.304 Pixel. </li><li> Justieren Messparameter. Für die gezeigten Ergebnisse die folgenden Einstellungen verwenden: Objektabstand einstellen Fokus (FOD) bis 5,5 mm, Set Fokusdetektor Abstand (FDD) bis 200 mm, Satz Röntgenröhrenspannung bis 100 kV und Röhrenstrom auf 135 &amp; mgr; A, verwenden 0,2 mm Cu-Folie für Strahlaufhärtung. </li></ol> 3. Durchführung von CT-Scan HINWEIS: Röntgenstrahlintensitäten während der Messung variieren. Um diese eventuellen Schwankungen zu kompensieren, eine Region of Interest (ROI) Fenster platziert wird, wo die Röntgenstrahlen nicht mit der Probe stören. Diese Region ist nicht durch X-ray Absorption durch die Probe beeinflusst, es ist daher der Bereich mit der höchsten gemessenen Intensitäts. <ol><li> Wählen Sie den ROI durch die Identifizierung der Fläche nicht durch das Messobjekt verdeckt während einer vollen Umdrehung. Im Messfenster mit dem Live-Bild, drücken und halten Sie die linke Maustaste und ein rotes entwerfen gerahmte Fenster. </li><li> Rechtsklick auf dieses Fenster angezeigt wird ein Kontextmenü zu öffnen. Dann wählen &quot;als Beobachtungsfenster&quot;. Die Farbe des Rahmens wird auf Gelb, und das Beobachtungsfenster wird im Messfenster festgelegt werden. HINWEIS: Mit dieser Software-Funktion setzt damit das Beobachtungsfenster und definiert den Bereich, in den abgetasteten Bildern, in denen die Röntgenstrahlen nicht mit der Probe in Wechselwirkung treten. Dies ist für eine mögliche Drift der Grauwerte für die Strahlen zu korrigieren, die direkt auf den Detektor treffen (freie Strahlen, die grau-Wert von Luft verursacht). Es ist der hellste Bereich in dem Bild während einer vollen Umdrehung der Probe. HINWEIS: Aufgrund der Tatsache, dass die Erwärmung der Röntgenröhre um Wärmedehnungen von Rohrmaterialien führen wird, eine Software-Modul aktiviert, die für solche Effekte korrigiert. Diese Effekte verursachen Verschiebungen in der X-ray Foci auf dem Ziel als auch räumlich, die während der Messung wird eine Bewegung des Messobjekts in den aufgezeichneten Bildern führen. <ol><li> Aktivieren Sie das Software - Modul &quot;Auto - Scan - Optimierer&quot;, durch die neun Bilder vor der eigentlichen Abtastung der Probe entnommen werden. Diese Bilder werden in 40 ° Schritten genommen, während die Probe rotiert. HINWEIS: Dieses Softwaremodul zusätzlich zu der Korrektur der thermischen Effekte werden auch für die Korrektur von kleineren mechanischen Bewegungen der Probe selbst ermöglichen. Das Modul wird in der grafischen Benutzeroberfläche des Mess Software gefunden. </li><li> Zusätzlich aktivieren Sie das Modul &quot;Detektorverschiebung Routine&quot;. Die gleichzeitige Aktivierung dieser beiden Module vor der eigentlichen CT - Scan starten sorgt für Korrektur für Bewegungen der Probe und für Ring Artefakte. HINWEIS:Dieses Softwaremodul wird verwendet Ringartefakten zu verringern: Der Detektor ist in eine Position ca. ± 10 Pixel von der Anfangsposition bewegt und alle Bilder aufgenommen werden gemittelt. Dies reduziert den Einfluss fehlerhafte Pixel. </li><li> Verwenden Sie die &quot;Auto - Scan - Optimierer&quot; und &quot;Detektorverschiebung Routine&quot; der Erfassungssoftware für den oben beschriebenen Zweck werden die beiden Module separat ausgewählt und werden gleichzeitig in dieser Untersuchung verwendet. </li></ol></li><li> Scan Probe durch Starten des &quot;Datenerfassungsprogramm&quot; in der Erfassungssoftware. </li></ol> 4. Die Rekonstruktion der Volume Information, Planung von Micro Vorbereitung <ol><li> Verwenden Hersteller Rekonstruktionssoftware auf Volume-Informationen machen. Volume Rendering wird digital ausgeführt, um einen Rechencluster mit den Probeneigenschaften durch Röntgenabsorption vorgestellt zu rekonstruieren. </li><li> Anwenden Bildkorrekturalgorithmen: Bhc + (Strahlaufhärtungskorrektur) , um den Wert für &quot;verschiedene Materialien&quot; Strahlaufhärtung zu entfernen und Scan - Optimierer vgl unerwünschten Beispielbewegungen 3.2 zu entfernen) (die 5,8 ist) anzuwenden. Führen Sie diese Schritte aus nach dem Software - Handbuch des Lieferanten (vgl Materialien Abschnitt). </li><li> Wählen Sie einen Bereich für den Wiederaufbau, und definieren eine Region of Interest (ROI). In diesem Fall wird der ROI durch das Volumen definiert die LED während eines vollen Kreises, der durch seine Drehung in der CT Probenkammer beschrieben, einnimmt. Nutzen Sie die Software - Optionen &quot;Verwendung Beobachtung&quot; und &quot;ROI - CT-Filter&quot; Artefakte zu unterdrücken, halten Sie sich an das Software - Handbuch des Lieferanten (vgl Materialien Abschnitt), wenn dies zu tun. </li><li> Rekonstruieren Sie das Volumen für ROI. Nach dem Einstellen der Volumenrekonstruktion mit Hilfe der Rechencluster ROI, Filter und Korrekturmöglichkeiten in der Rekonstruktionssoftware, führen die durch das Instrument des Lieferanten angegeben (Abschnitt vgl Materialien). </li><li> Übertragen Rekonstruktionsdaten an die CT-Daten-Analyse - Software, richten Probe in XY, XZ und YZ - Ebene , die &quot;einfache Anmeldung&quot; -Funktion in der Software. Übernehmen &quot;Median&quot; Filterung, mit Filtergröße &quot;3&quot;. HINWEIS: Führen Sie die folgenden Schritte aus , wie in der Software - Handbuch (siehe Materialien Abschnitt) beschrieben. <ol><li> Mit der Software, überprüfen Sie die gerenderten Volumen, und prüfen, ob die elektrischen Verbindungen in der Struktur der Vorrichtung Versorgung mit elektrischer Strom von den Lötpads unterhalb der Vorrichtung zu dem Licht-Chip Halbleiter auf der Oberseite zu gewährleisten. </li><li> Definieren Schneidposition und die Menge der Probe entfernt werden, durch Schleifen und Polieren für die nachfolgende Mikro Vorbereitung, so daß die Vorrichtung nach der Entnahme noch funktionsfähig ist (Vermeidung offene Schaltung). Verwenden Sie Abstand und Messwerkzeuge der Software Bedienbarkeit des Specim, um sicherzustellen,en nach der Mikropräparation (Länge kann durch die bekannten LED-Chip-Abmessungen von 1 mm x 1 mm kalibriert werden). </li></ol></li></ol> 5. Micro Vorbereitung <ol><li> Löten Silberdraht an die Anode und Kathode pads der LED manuell. Verwenden Lötdraht Durchmesser von 1 mm und mit der Zusammensetzung 60% Sn, 39% Pb und 1% Cu. Achten Sie darauf, eine entsprechende Positionierung der Drähte. </li><li> Einbetten LED in Epoxy-Harz unter Verwendung von transparenten Trägern (beispielsweise Ringe von 25 mm oder 40 mm Durchmesser). Bohren Sie zwei kleine Löcher auf gegenüberliegenden Seiten des Trägers und führen die Silberdraht (die Kontakte der LED) durch. LED Position durch Anziehen oder Lockern der Silberdraht der Vorderkante der LED und dem Träger auszurichten. <ol><li> Füllen Sie den Ring mit Epoxy in einem Silikon-Becher vorbehandelt, um sicherzustellen, dass es nicht auf die Epoxy-Stick wird und anschließend das Epoxid erhärten lassen. </li></ol></li><li> Mit Hilfe eines Stereomikroskops, sicherzustellen, visuell, dass die Unterstützung und LED ausgerichtet sind. Mechanically Entfernen jedes Harz, das im Überschuss vorhanden ist (beispielsweise außerhalb des Trägers), indem sie mit grobem Schleifpapier. </li><li> Befestigen Sie die LED (in dem Epoxidharz eingebettet), in einer flächig mit einem Probenhalter, zum Präzisionsschleifen. </li><li> Verwenden Sie eine Schleifmaschine mit Abriebmessung und entfernen Sie die Probenoberfläche aus der Zielebene die Position bis 100 &amp; mgr; m auf. </li><li> Entfernen Sie vorsichtig weiteres Material auf einer manuell betriebenen Schleifmaschine 9 &amp; mgr; m Diamantsuspension. Kontrollieren Sie die Fortschritte bei der Abrieb häufig mit einem Stereomikroskop. </li><li> Auf der Zielregion zu erreichen, wie durch die CT-Abtastung definiert, wechseln bis 3 &amp; mgr; m Diamantsuspension und schließlich geeignete Poliersuspensionen, durch Verwendung der entsprechenden Schleif- und Polierscheiben der Handschleifmaschine zu verändern. Kontrollieren Sie die Fortschritte in kurzen Abständen mit einem Stereomikroskop. HINWEIS: Im Idealfall wird die vorbereitete Fläche der Zielebene entsprechen nun in der CT-Messung definiert. </li><li> In den Schritten 5.entfernen 5 und 5.6 immer Schleif- und Poliersuspensionen vor dem Mikroskop durch mit entsalztem Wasser gespült und mit Wattepads abwischen. </li><li> Nach dem Polieren beobachten die reibungslose und freie Oberfläche mit einem Stereomikroskop kratzen. Reinigen Sie die Probe mit entsalztem Wasser und Wattepads, und entfernen Sie Wasser durch mit Ethanol (reines Brennspiritus) Spülen und Trocknen mit einem Fön. </li><li> Überprüfen Sie die Probe für die elektrische Funktionsfähigkeit, das heißt, den Stromfluß durch die Leuchtdiode in Vorwärtsrichtung und keinen Stromfluss in umgekehrter Richtung, einen digitalen Multimeter. </li></ol> 6. LM Messaufbau <ol><li> Berg Probe in geeigneten Probenhalter für Clem (vgl Materialien Abschnitt). Stellen Sie sicher, dass der Probenhalter die Probe für die Verwendung in LM, Sputter Coater und SEM fixiert. </li><li> Einstellen Kalibriermarken (L-Strukturen auf dem Halter) auf der gleichen Höhe wie Probenoberfläche (ca. 4 mm &lt;/ Strong&gt;). Sicherzustellen, dass die polierte Oberfläche auf Fokalebene des LM parallel ist. Fix Probenhalter auf die motorisierte XY-Tisch von LM. Schließen LED an die Stromversorgung. Die Stromversorgung im Konstantstrombetrieb arbeiten soll. </li><li> Kalibrieren Sie Probenhalterposition auf der xy-Bühne durch die Position der Eichmarken als Referenzpunkte zu speichern. HINWEIS: Eine detaillierte Anleitung für diesen Schritt auch halbautomatische Verfahren wird in der Bedienungsanleitung (vgl Materialien Abschnitt) beschrieben. </li></ol> 7. LM Charakterisierung <ol><li> Bewegen xy-Stufe des LM so dass ROI der Probe in das Blickfeld des LM ist. Stellen Sie sicher , dass die LM - Kamera eine genaue Weißabgleich durch Autokalibrierung hat , wie in der LM-Software und die Verwendung einer weißen Referenzfläche (zB Blatt Papier). </li><li> Führen Sie LM - Bildgebung in einer Verbindung LM mit nach reflektierte Licht auf die Schritte in der Bedienungsanleitung des Lieferanten (vgl Materialien zur Verfügung gestellt beschrieben Abschnitauf). Für die Ergebnisse hier das Hellfeld, Dunkelfeld und Polarisationskontrast wurden mit einem 50X Ziel abgebildet gezeigt. </li><li> Schalten Sie die Stromversorgung und Melodie LED-Emission. Schalten Sie LM Beleuchtung und stellen Sie die Belichtungszeit der Kamera LM (ca. 92 ms abhängig von Emissionsintensität). Erhalten LM Bild der Lichtverteilung innerhalb der Probe (Lumineszenz Kontrast). </li><li> Falls zutreffend, Bild Lumineszenz zusammen mit anderen Kontraste durch LM Beleuchtung zu aktivieren und gleichzeitig LED. HINWEIS: Andernfalls Bildern mit unterschiedlichen Kontrasten können auch später mittels Bildverarbeitung gemischt werden. </li><li> Speichern Sie alle LM Bilder zusammen mit der entsprechenden Stufenposition wie in der Bedienungsanleitung des Lieferanten (vgl Materialien Abschnitt) versehen beschrieben. </li></ol> 8. Sputter-Beschichtungs <ol><li> Entfernen Sie Probenhalter aus LM und Stromversorgung. Stellen Sie sicher, dass die Probe stabil innerhalb des Halters fixiert bleibt. </li><li> Fix Copper conductive Band auf die polierte Probenoberfläche rund um die LED und den Probenhalter in Kontakt. Sie nicht die ROIs mit dem Band abzudecken. </li><li> Unter Verwendung einer Folie den Probenhalter abdecken und ein Fenster ähnlich dem Probendurchmesser (ca. 5 mm) herzustellen. Befestigen Sie die komplette Probenhalter innerhalb der Folie, so dass das Fenster direkt über der Probe ist. </li><li> Platzieren Sie den Probenhalter in den Empfänger des Sputter Coater sichergestellt wird, dass die Probenoberfläche beschichtet werden kann. Sputter eine 5 nm dicke Kohlenstoffschicht auf der Oberfläche der Probe (von Kohlenstoff-Stab). Bewegen Sie den Probenhalter aus dem Sputter-Beschichtungsvorrichtung und die Folie entfernen. </li></ol> 9. SEM Messaufbau <ol><li> Berg Probenhalter auf den SEM-Adapter und legen Sie es auf dem motorisierten Bühne von SEM. Pumpen Sie die Vakuumkammer. </li><li> Kalibrieren Sie Probenhalterposition innerhalb des SEM durch die Position der Eichmarken als Referenzpunkte zu speichern. HINWEIS: Eine detaillierte Anleitung für diesen Schritt mit halbautomatischen pERFAHREN wird in der Bedienungsanleitung (vgl Materialien Abschnitt) beschrieben. </li><li> Definieren Koordinatentransformation von LM SEM Bühne für die direkte Verlegung von ROIs und zur Navigation innerhalb der LM-Bilder. Dieser Schritt kann auch automatisch durch Software durchgeführt werden , wie in der Bedienungsanleitung (vgl Materialien Abschnitt) beschrieben. </li></ol> 10. SEM-Analyse <ol><li> Bewegen Bühne ROI auf Probe zu zeigen und SEM-Analyse in der gleichen Position wie in der LM durchführen. </li><li> Wählen Sie &quot;SE - Erkennung&quot; für Oberflächenabbildung. Wählen Sie Elektronenenergie von 20 keV, die Blende auf 30 &amp; mgr; m und die Position der Probe bei einem Arbeitsabstand von 8,7 mm. </li><li> Wählen Sie &quot;BSE - Erkennung&quot; für Materialkontrast. Wählen Sie Elektronenenergie von 20 keV, die Blende auf 30 &amp; mgr; m und die Position der Probe bei einem Arbeitsabstand von 8,7 mm. </li><li> Wählen Sie &quot;EDX - Erkennung&quot; für Element - Mapping. Wählen Sie Elektronenenergie von 20 keVgesetzt, um die Öffnung zu 60 &amp; mgr; m und die Position der Probe bei einem Arbeitsabstand von 9 mm. Erkennen die folgenden Elemente: Y, Al, Ca, Si, Ga, Au, Ni und Cu. </li></ol> 11. Bildverarbeitung <ol><li> Führen Sie Overlay von LM und REM - Aufnahmen von identischen Punkten in den Bildern von LM und SEM - Auswahl und durch weitere Bildverarbeitung wie in der Bedienungsanleitung beschrieben durch den Lieferanten zur Verfügung gestellt (vgl Materialien Abschnitt). </li></ol>

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	<li>Mueller-Mach, R., Mueller, G. O., Krames, M. R., Trottier, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-power+phosphor-converted+light-emitting+diodes+based+on+III-Nitrides.">High-power phosphor-converted light-emitting diodes based on III-Nitrides.</a> IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8 (2), 339-345 (2002).</li><li>Branas, C., Azcondo, F. J., Alonso, J. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Solid-State+Lighting:+A+System+Review.">Solid-State Lighting: A System Review.</a> IEEE Ind. Electron. Mag. 7 (4), 6-14 (2013).</li><li>Chang, M. -. H., Das, D., Varde, P. V., Pecht, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Light+emitting+diodes+reliability+review.">Light emitting diodes reliability review.</a> Microelectron. Reliab. 52 (5), 762-782 (2012).</li><li>Ayodha, T., Han, H. S., Kim, J., Kim, S. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Effect+of+chip+die+bonding+on+thermal+resistance+of+high+power+LEDs.">Effect of chip die bonding on thermal resistance of high power LEDs.</a> Intersoc. Conf. Therm. Thermomechanical Phenom. Electron. Syst. ITHERM. , 957-961 (2012).</li><li>Cason, M., Estrada, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Application+of+X-ray+MicroCT+for+non-destructive+failure+analysis+and+package+construction+characterization.">Application of X-ray MicroCT for non-destructive failure analysis and package construction characterization.</a> Proc. Int. Symp. Phys. Fail. Anal. Integr. Circuits, IPFA. , (2011).</li><li>Chen, R., Zhang, Q., Peng, T., Jiao, F., Liu, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Failure+analysis+techniques+for+high+power+light+emitting+diodes.">Failure analysis techniques for high power light emitting diodes.</a> 2011 12th Int. Conf. Electron. Packag. Technol. High Density Packag. , 1-4 (2011).</li><li>Chen, Z., Zhang, Q., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Study+on+the+reliability+of+application-specific+led+package+by+thermal+shock+testing,+failure+analysis,+and+fluid-solid+coupling+thermo-mechanical+simulation.">Study on the reliability of application-specific led package by thermal shock testing, failure analysis, and fluid-solid coupling thermo-mechanical simulation.</a> IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. 2 (7), 1135-1142 (2012).</li><li>Luniak, M., Holtge, H., Brodmann, R., Wolter, K. -. J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Optical+Characterization+of+Electronic+Packages+with+Confocal+Microscopy.">Optical Characterization of Electronic Packages with Confocal Microscopy.</a> 2006 1st Electron. Syst. Technol. Conf. 2 (16), 1813-1815 (2006).</li><li>Marks, M. R., Hassan, Z., Cheong, K. Y. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Characterization+Methods+for+Ultrathin+Wafer+and+Die+Quality:+A+Review.">Characterization Methods for Ultrathin Wafer and Die Quality: A Review.</a> IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. 4 (12), 2042-2057 (2014).</li><li>Rosc, J., Hammer, H., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Reliability+assessment+of+contact+wires+in+LED-devices+using+in+situ+X-ray+computed+tomography+and+thermo-mechanical+simulations.">Reliability assessment of contact wires in LED-devices using in situ X-ray computed tomography and thermo-mechanical simulations.</a> Proc. 5th Electron. Syst. Technol. Conf. , 1-6 (2014).</li><li>Zhaohui, C., Qin, Z., Kai, W., Xiaobing, L., Sheng, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Reliability+test+and+failure+analysis+of+high+power+LED+packages.">Reliability test and failure analysis of high power LED packages.</a> J. Semicond. 32 (1), 014007 (2011).</li><li>Hamon, B., Bataillou, B., Hamon, B., Mendizabal, L., Gasse, A., Feuillet, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=N-contacts+degradation+analysis+of+white+flip+chip+LEDs+during+reliability+tests.">N-contacts degradation analysis of white flip chip LEDs during reliability tests.</a> 2014 IEEE Int. Reliab. Phys. Symp. , FA.1.1-FA.1.6 (2014).</li><li>Tsai, M. -. Y., Tang, C. -. Y., Yen, C. -. Y., Chang, L. -. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Bump+and+Underfill+Effects+on+Thermal+Behaviors+of+Flip-Chip+LED+Packages:+Measurement+and+Modeling.">Bump and Underfill Effects on Thermal Behaviors of Flip-Chip LED Packages: Measurement and Modeling.</a> IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 14 (1), 161-168 (2014).</li><li>Wang, F. -. K., Lu, Y. -. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Useful+lifetime+analysis+for+high-power+white+LEDs.">Useful lifetime analysis for high-power white LEDs.</a> Microelectron. Reliab. 54 (6-7), 1307-1315 (2014).</li><li>Liu, Y., Zhao, J., Yuan, C. C. -. A., Zhang, G. Q., Sun, F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Chip-on-Flexible+Packaging+for+High-Power+Flip-Chip+Light-Emitting+Diode+by+AuSn+and+SAC+Soldering.">Chip-on-Flexible Packaging for High-Power Flip-Chip Light-Emitting Diode by AuSn and SAC Soldering.</a> IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. 4 (11), 1754-1759 (2014).</li><li>Thomas, C., Edelmann, M., Lysenkov, D., Hafner, C., Bernthaler, T., Schneider, G. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Correlative+Light+and+Electron+Microscopy+(CLEM)+for+Characterization+of+Lithium+Ion+Battery+Materials.">Correlative Light and Electron Microscopy (CLEM) for Characterization of Lithium Ion Battery Materials.</a> Microsc. Microanal. 16, 784-785 (2010).</li><li>Thomas, C., Ogbazghi, T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Correlative+Microscopy+of+Optical+Materials.">Correlative Microscopy of Optical Materials.</a> Imaging &amp; Microscopy. 3, 32-34 (2014).</li></ol>

The authors have nothing to disclose.

Die Vorteile dieser multimodal Ansatz bestehen in der ortsabhängige Korrelation der erfassten Daten. Die multimodalen Ansatz, der hier beschrieben werden, sollten getrennt in nachfolgenden Analysen mit jeder Technik gegenübergestellt werden. Zum Beispiel Lumineszenzeigenschaften sichtbar in LM können Zusammensetzungen verbunden werden, wie unter Verwendung von SEM / EDS detektiert. Das Volumen Informationen von CT erhalten wird, kann erweitert werden mit in der Tiefe analysiert von Querschnitten in gezielt vorbereite...

Dieser Artikel zeigt, das Potential und die Vorteile einer Kombination von Röntgencomputertomographie (CT) mit korrelative Licht- und Elektronenmikroskopie (CLEM) für die beispielhafte in Tiefen Charakterisierung von Leuchtdioden (LED). Mit dieser Technik ist es möglich, die Mikro Herstellung der LED in einer solchen Art und Weise zu planen, dass, während ein Querschnitt mikroskopisch die elektrische Funktionalität in dem Rest der Probe abgebildet werden kann, erhalten bleibt. Das Verfahren hat einige einzigartige Eigenschaften: Zum einen die geplante Mikro Vorbereitung mit Hilfe des gerenderten Volumen der gesamten Probe durch CT erhalten; zweitens die Beobachtung der LED durch Lichtmikroskopie (LM) mit der gesamten Vielzahl von Abbildungstechniken verfügbar (hell und Dunkelfeld, Polarisationskontrast, etc.); Drittens Beobachtung der LED in Betrieb durch LM; viertens Beobachtung identischer Bereiche mit der vollen Vielfalt der Elektronenmikroskopie Bildgebungsverfahren, umfassend sekundäre eLectron (SE) und Rückstreuelektronen (BSE) Bildgebung, sowie Energie-Röntgenfluoreszenzspektroskopie (EDX). LEDs für Beleuchtungsanwendungen sind so ausgelegt, um weißes Licht zu emittieren, auch wenn in bestimmten Anwendungen Farbvariabilität günstig sein kann. Diese breite Emission kann nicht durch die Emission von einem Verbindungshalbleiter erreicht werden, da LEDs Strahlung in einem schmalen Spektralbereich (ca. 30 nm Halbwertsbreite (FWHM)) emittieren. Daher weißes LED - Licht wird durch die Kombination einer blauen LED mit Leuchtstoffen häufig erzeugt , die die kurzwellige Strahlung in breite Emission über einen großen Spektralbereich 1 umwandeln. Farbe variable LED - Lösungen in der Regel die Verwendung von mindestens drei Primärfarben machen, die in der Regel führt zu höheren Marktpreisen. 2 Die Verwendung von entweder CT, LM oder SEM ist natürlich gut etabliert (zB in der Fehleranalyse für LEDs 3-15), aber dieumfassende und gezielte Kombination aller hier beschriebenen drei Techniken können neue Einblicke bieten und schnelleren Tracks auf sinnvolle Charakterisierung Ergebnisse ermöglichen. Von 3D-Mikrostrukturanalyse des verpackten Gerätes in CT die Regionen von Interesse (ROIs) identifiziert und ausgewählt werden können. Bei dieser nicht-destruktive Verfahren können elektrische Verbindungen auch für weitere Vorbereitung identifiziert und berücksichtigt werden. Die genaue Vorbereitung eines 2D-Querschnitt ermöglicht Untersuchungen des Gerätes in Betrieb trotz der destruktiven Natur dieser Methode. Der Querschnitt kann nun durch CLEM 16,17 charakterisiert werden , die mit LM sowie SEM eine sehr effiziente und flexible Charakterisierung identisch ROIs ermöglicht. Durch diesen Ansatz können die Vorteile beider Mikroskopietechniken kombiniert werden. Zum Beispiel wird eine schnelle Identifizierung der ROIs in der LM gefolgt von hochauflösenden Abbildung in dem SEM. Aber darüber hinaus wird die Korrelation von Informationen ausdie LM (zB Farbe, optische Eigenschaften, Partikelverteilung) mit den Visualisierungs- und Analysetechniken der SEM (zB Partikelgröße, Oberflächenmorphologie, Elementverteilung) ermöglicht ein tieferes Verständnis der Funktionsverhalten und Mikrostruktur innerhalb einer weißen LED.

<table><tbody><tr><td>X-ray Computer Tomograph</td><td>General Electric</td><td>not applicable</td><td>type: nanotom s research edition</td></tr><tr><td>acquisition software</td><td>General Electric</td><td>not applicable</td><td>phoenix Datos| x2 acquisition and corresponding manual</td></tr><tr><td>reconstruction software</td><td>General Electric</td><td>not applicable</td><td>phoenix Datos| x2 acquisition and corresponding manual</td></tr><tr><td>rendering software</td><td>Volume Graphics</td><td>not applicable</td><td>VGStudio Max 2.2 and corresponding manual</td></tr><tr><td>grinder (manual)</td><td>Struers</td><td>5296327</td><td>Labopol 21</td></tr><tr><td>sample holder</td><td>Struers</td><td>4886102</td><td>UniForce</td></tr><tr><td>grinder (automated)</td><td>Struers</td><td>6026127</td><td>Tegramin 25</td></tr><tr><td>epoxy resin/hardener</td><td>Struers</td><td>40200030/40200031</td><td>Epoxy fix resin / Epoxy fix hardener</td></tr><tr><td>Ethanol</td><td>Struers</td><td>950301</td><td>Kleenol</td></tr><tr><td>Light Microscope</td><td>Zeiss</td><td>not applicable</td><td>Axio Imager M2m&amp;nbsp;</td></tr><tr><td>Electron Microscope</td><td>Zeiss</td><td>not applicable</td><td>Sigma&amp;nbsp;</td></tr><tr><td>CLEM software</td><td>Zeiss</td><td>not applicable</td><td>Axio Vision SE64 Rel.4.9 and corresponding manual</td></tr><tr><td>CLEM sample holder</td><td>Zeiss</td><td>432335-9101-000</td><td>Specimen holder CorrMic MAT Universal B</td></tr><tr><td>SEM Adapter for CLEM sample holder</td><td>Zeiss</td><td>432335-9151-000</td><td>SEM Adapter for Specimen holder CorrMic MAT Universal B</td></tr><tr><td>sputter coater</td><td>Quorum</td><td>not applicable</td><td>Q150TES</td></tr><tr><td>EDS detector</td><td>R&amp;ouml;ntec</td><td>not applicable</td><td>X-Flash 1106</td></tr><tr><td>solder</td><td>Stannol</td><td>535251</td><td>type: HS10</td></tr><tr><td>LED</td><td>Lumileds</td><td>not applicable</td><td>LUXEON Rebel warm white, research sample</td></tr></tbody></table>

in depth analyses of leds by a combination of x-ray computed tomography (ct) and light microscopy (lm) correlated with scanning electron microscopy (sem)

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of micro-characterization, plays an important role. Commonly, different techniques like X-ray computed tomography (CT), light microscopy (LM) and scanning electron microscopy (SEM) are used separately. Similarly, the results have to be treated for each technique independently. Here a comprehensive study is shown which demonstrates the potentials leveraged by linking CT, LM and SEM. In depth characterization is performed on a white emitting LED, which can be operated throughout all characterization steps. Major advantages are: planned preparation of defined cross sections, correlation of optical properties to structural and compositional information, as well as reliable identification of different functional regions. This results from the breadth of information available from identical regions of interest (ROIs): polarization contrast, bright and dark-field LM images, as well as optical images of the LED cross section in operation. This is supplemented by SEM imaging techniques and micro-analysis using energy dispersive X-ray spectroscopy.

Die gekennzeichnet LED ist in Figur 1 dargestellt ist . Es ist eine weiße emittierende LED mit einer Chipgröße von 1 x 1 mm 2 und einer teilweise keramischen lumineszente Farbkonverter. In einer leicht schrägen Position der Bar auf einem Kohlefaser - LED - Verleimung vermeidet CT Artefakte durch Probensymmetrie verursacht (Abbildung 2). Ergebnisse der CT - Messung ermöglichen , die Position des Querschnitts der Probe Planung und elektrisc...

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In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography CT and Light Microscopy LM Correlated with Scanning Electron Microscopy SEM

Ein Workflow für eine umfassende Mikro Charakterisierung aktiver optischer Geräte skizziert. Es enthält strukturelle sowie funktionelle Untersuchungen mit Hilfe von CT, LM und SEM. Das Verfahren ist für eine weiße LED demonstriert, die noch während der Charakterisierung betrieben werden kann.

In Tiefenanalysen der LEDs durch eine Kombination von Röntgen Computertomographie (CT) und Lichtmikroskopie (LM) korrelierte mit Rasterelektronenmikroskopie (SEM)

In failure analysis, device characterization and reverse engineering of light emitting diodes (LEDs), and similar electronic components of ...

in-depth-analyses-leds-combination-x-ray-computed-tomography-ct-light

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JoVE Journal

Engineering

In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography (CT) and Light Microscopy (LM) Correlated with Scanning Electron Microscopy (SEM)

9.2K Aufrufe.  Hamm-Lippstadt University of Applied Sciences.  Ein Workflow für eine umfassende Mikro Charakterisierung aktiver optischer Geräte skizziert. Es enthält strukturelle sowie funktionelle Untersuchungen mit Hilfe von CT, LM und SEM. Das Verfahren ist für eine weiße LED demonstriert, die noch während der Charakterisierung betrieben werden kann. 

Serie: In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography CT and Light Microscopy LM Correlated with Scanning Electron Microscopy SEM

Preparing Adherent Cells for X-ray Fluorescence Imaging by Chemical Fixation

X-ray fluorescence imaging allows us to non-destructively measure the spatial distribution and concentration of multiple elements simultaneously over large or small sample areas. It has been applied in many areas of science, including materials science, geoscience, studying works of cultural heritage, and in chemical biology. In the case of chemical biology, for example, visualizing the metal distributions within cells allows us to study both naturally-occurring metal ions in the cells, as well as exogenously-introduced metals such as drugs and nanoparticles. Due to the fully hydrated nature of nearly all biological samples, cryo-fixation followed by imaging under cryogenic temperature represents the ideal imaging modality currently available. However, under the circumstances that such a combination is not easily accessible or practical, aldehyde based chemical fixation remains useful and sometimes inevitable. This article describes in as much detail as possible in the preparation of adherent mammalian cells by chemical fixation for X-ray fluorescent imaging.

Here, we present a protocol on how to determine the quantity and distribution of metals in a sample using synchrotron X-ray fluorescence. We focus on adherent cells, and describe the chemical fixation method to prepare this sample. We then describe how to mount and image the sample using synchrotron X-rays.

Vorbereitung adhärenter Zellen für die Röntgenfluoreszenzbildgebung durch chemische Fixierung

X-ray fluorescence imaging allows us to non-destructively measure the spatial distribution and concentration of multiple elements simultaneously over ...

Forschung

Chemie

Energy Dispersive X-ray Tomography for 3D Elemental Mapping of Individual Nanoparticles

Energy dispersive X-ray spectroscopy within the scanning transmission electron microscope (STEM) provides accurate elemental analysis with high spatial resolution, and is even capable of providing atomically resolved elemental maps. In this technique, a highly focused electron beam is incident upon a thin sample and the energy of emitted X-rays is measured in order to determine the atomic species of material within the beam path. This elementally sensitive spectroscopy technique can be extended to three dimensional tomographic imaging by acquiring multiple spectrum images with the sample tilted along an axis perpendicular to the electron beam direction.
Elemental distributions within single nanoparticles are often important for determining their optical, catalytic and magnetic properties. Techniques such as X-ray tomography and slice and view energy dispersive X-ray mapping in the scanning electron microscope provide elementally sensitive three dimensional imaging but are typically limited to spatial resolutions of &gt; 20 nm. Atom probe tomography provides near atomic resolution but preparing nanoparticle samples for atom probe analysis is often challenging. Thus, elementally sensitive techniques applied within the scanning transmission electron microscope are uniquely placed to study elemental distributions within nanoparticles of dimensions 10-100 nm.
Here, energy dispersive X-ray (EDX) spectroscopy within the STEM is applied to investigate the distribution of elements in single AgAu nanoparticles. The surface segregation of both Ag and Au, at different nanoparticle compositions, has been observed.

The use of energy dispersive X-ray tomography in the scanning transmission electron microscope to characterize elemental distributions within single nanoparticles in three dimensions is described.

Energieröntgentomografie für 3D-Elementar Zuordnung einzelner Nanopartikel

Energy dispersive X-ray spectroscopy within the scanning transmission electron microscope (STEM) provides accurate elemental analysis with high spatial ...

Ingenieurwesen

Failure Analysis of Batteries Using Synchrotron-based Hard X-ray Microtomography

Imaging morphological changes that occur during the lifetime of rechargeable batteries is necessary to understand how these devices fail. Since the advent of lithium-ion batteries, researchers have known that the lithium metal anode has the highest theoretical energy density of any anode material. However, rechargeable batteries containing a lithium metal anode are not widely used in consumer products because the growth of lithium dendrites from the anode upon charging of the battery causes premature cell failure by short circuit. Lithium dendrites can also form in commercial lithium-ion batteries with graphite anodes if they are improperly charged. We demonstrate that lithium dendrite growth can be studied using synchrotron-based hard X-ray microtomography. This non-destructive imaging technique allows researchers to study the growth of lithium dendrites, in addition to other morphological changes inside batteries, and subsequently develop methods to extend battery life.

Synchrotron-based hard X-ray microtomography is used to image the electrochemical growth of dendrites from a lithium metal electrode through a solid polymer electrolyte membrane.

Fehleranalyse von Batterien unter Verwendung Synchrotron-basierte Feströntgenmikrotomographie

Imaging morphological changes that occur during the lifetime of rechargeable batteries is necessary to understand how these devices fail. Since the advent ...

Using Synchrotron Radiation Microtomography to Investigate Multi-scale Three-dimensional Microelectronic Packages

Synchrotron radiation micro-tomography (SR&#181;T) is a non-destructive three-dimensional (3D) imaging technique that offers high flux for fast data acquisition times with high spatial resolution. In the electronics industry there is serious interest in performing failure analysis on 3D microelectronic packages, many which contain multiple levels of high-density interconnections. Often in tomography there is a trade-off between image resolution and the volume of a sample that can be imaged. This inverse relationship limits the usefulness of conventional computed tomography (CT) systems since a microelectronic package is often large in cross sectional area 100-3,600 mm2, but has important features on the micron scale. The micro-tomography beamline at the Advanced Light Source (ALS), in Berkeley, CA USA, has a setup which is adaptable and can be tailored to a sample&#39;s properties, i.e., density, thickness, etc., with a maximum allowable cross-section of 36 x 36 mm. This setup also has the option of being either monochromatic in the energy range ~7-43 keV or operating with maximum flux in white light mode using a polychromatic beam. Presented here are details of the experimental steps taken to image an entire 16 x 16 mm system within a package, in order to obtain 3D images of the system with a spatial resolution of 8.7 &#181;m all within a scan time of less than 3 min. Also shown are results from packages scanned in different orientations and a sectioned package for higher resolution imaging. In contrast a conventional CT system would take hours to record data with potentially poorer resolution. Indeed, the ratio of field-of-view to throughput time is much higher when using the synchrotron radiation tomography setup. The description below of the experimental setup can be implemented and adapted for use with many other multi-materials.

For this study synchrotron radiation micro-tomography, a non-destructive three-dimensional imaging technique, is employed to investigate an entire microelectronic package with a cross-sectional area of 16 x 16 mm. Due to the synchrotron&#39;s high flux and brightness the sample was imaged in just 3 min&#160;with an 8.7 &#181;m spatial resolution.

Mit Synchrotronstrahlung Mikrotomographie Mehrskalige Dreidimensionale Mikroelektronische Bauteile zur Untersuchung

Synchrotron radiation micro-tomography (SR&#181;T) is a non-destructive three-dimensional (3D) imaging technique that offers high flux for fast data ...

Low-energy Cathodoluminescence for (Oxy)Nitride Phosphors

Nitride and oxynitride (Sialon) phosphors are good candidates for the ultraviolet and visible emission applications. High performance, good stability and flexibility of their emission properties can be achieved by controlling their composition and dopants. However, a lot of work is still required to improve their properties and to reduce the production cost. A possible approach is to correlate the luminescence properties of the Sialon particles with their local structural and chemical environment in order to optimize their growth parameters and find novel phosphors. For such a purpose, the low-voltage cathodoluminescence (CL) microscopy is a powerful technique. The use of electron as an excitation source allows detecting most of the luminescence centers, revealing their luminescence distribution spatially and in depth, directly comparing CL results with the other electron-based techniques, and investigating the stability of their luminescence properties under stress. Such advantages for phosphors characterization will be highlighted through examples of investigation on several Sialon phosphors by low-energy CL.

Low-energy Cathodoluminescence for OxyNitride Phosphors

An excellent chemical and luminescence stabilities of (oxy)nitride phosphors present it as an promising alternative to currently used sulfide and oxide phosphors. In this paper, we present the way to investigate its local luminescence properties using low-energy cathodoluminescence (CL).

Niederenergetische Kathodolumineszenz für (Oxy) Nitride Phosphore

Nitride and oxynitride (Sialon) phosphors are good candidates for the ultraviolet and visible emission applications. High performance, good stability and ...

Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications of semiconductor materials. However, it is still under debate how the defect structure determines the band structure, and therefore, the recombination behavior of electron-hole pairs responsible for the optical and electrical properties of the extended defects. The present paper is a survey of procedures for the spatially resolved investigation of structural and of physical properties of extended defects in semiconductor materials with a scanning electron microscope (SEM). Representative examples are given for crystalline silicon. The luminescence behavior of extended defects can be investigated by cathodoluminescence (CL) measurements. They are particularly valuable because spectrally and spatially resolved information can be obtained simultaneously. For silicon, with an indirect electronic band structure, CL measurements should be carried out at low temperatures down to 5 K due to the low fraction of radiative recombination processes in comparison to non-radiative transitions at room temperature. For the study of the electrical properties of extended defects, the electron beam induced current (EBIC) technique can be applied. The EBIC image reflects the local distribution of defects due to the increased charge-carrier recombination in their vicinity. The procedure for EBIC investigations is described for measurements at room temperature and at low temperatures. Internal strain fields arising from extended defects can be determined quantitatively by cross-correlation electron backscatter diffraction (ccEBSD). This method is challenging because of the necessary preparation of the sample surface and because of the quality of the diffraction patterns which are recorded during the mapping of the sample. The spatial resolution of the three experimental techniques is compared.

The optical, electrical, and structural properties of dislocations and of grain boundaries in semiconductor materials can be determined by experiments performed in a scanning electron microscope. Electron microscopy has been used to investigate cathodoluminescence, electron beam induced current, and diffraction of backscattered electrons.

Umfassende Charakterisierung von ausgedehnten Defekten in Halbleitermaterialien durch ein Rasterelektronenmikroskop

Extended defects such as dislocations and grain boundaries have a strong influence on the performance of microelectronic devices and on other applications ...

Synchrotron X-ray Microdiffraction and Fluorescence Imaging of Mineral and Rock Samples

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder microdiffraction two-dimensional (2D) maps at beamline 12.3.2 of the Advanced Light Source (ALS), Lawrence Berkeley National Laboratory. Measurements can be performed on any sample that is less than 10 cm x 10 cm x 5 cm, with a flat exposed surface. The experimental geometry is calibrated using standard materials (elemental standards for XRF, and crystalline samples such as Si, quartz, or Al2O3 for diffraction). Samples are aligned to the focal point of the x-ray microbeam, and raster scans are performed, where each pixel of a map corresponds to one measurement, e.g., one XRF spectrum or one diffraction pattern. The data are then processed using the in-house developed software XMAS, which outputs text files, where each row corresponds to a pixel position. Representative data from moissanite and an olive snail shell are presented to demonstrate data quality, collection, and analysis strategies.

We describe a beamline setup meant to carry out rapid two-dimensional x-ray fluorescence and x-ray microdiffraction mapping of single crystal or powder samples using either Laue (polychromatic radiation) or powder (monochromatic radiation) diffraction. The resulting maps give information about strain, orientation, phase distribution, and plastic deformation.

Synchrotron Röntgenstrahl Microdiffraction und Fluoreszenz-Bildgebung von Mineral- und Gesteinsproben

In this report, we describe a detailed procedure for acquiring and processing&#160;x-ray microfluorescence (&#956;XRF), and Laue and powder ...

Hochdurchsatz-Baumringanalyse und Dichteschätzung

Tree Core Analysis with X-ray Computed Tomography

An X-ray computed tomography (CT) toolchain is presented to obtain tree-ring width (TRW), maximum latewood density (MXD), other density parameters, and quantitative wood anatomy (QWA) data without the need for labor-intensive surface treatment or any physical sample preparation. The focus here is on increment cores and scanning procedures at resolutions ranging from 60 &#181;m down to 4 &#181;m. Three scales are defined at which wood should be looked at: (i) inter-ring scale, (ii) ring scale, i.e., tree-ring analysis and densitometry scale, as well as (iii) anatomical scale, the latter approaching the conventional thin-section quality. Custom-designed sample holders for each of these scales enable high-throughput scanning of multiple increment cores. A series of software routines were specifically developed to efficiently treat three-dimensional X-ray CT images of the tree cores for TRW and densitometry. This work briefly explains the basic principles of CT, which are needed for a proper understanding of the protocol. The protocol is presented for some known species that are commonly used in dendrochronology. The combination of rough density estimates, TRW and MXD data, as well as quantitative anatomy data, allows us to broaden and deepen current analyses for climate reconstructions or tree response, as well as further develop the field of dendroecology/climatology and archeology.

Autor im Rampenlicht: Fortschritte in der Röntgen-CT-Werkzeugkette für die Baumkernanalyse

Here we show how to process tree cores with an X-ray computed tomography toolchain. Except for chemical extraction for some purposes, no further physical lab treatment is needed. The toolchain can be used for biomass estimations, for obtaining MXD/tree-ring width data as well as for obtaining quantitative wood anatomy data.

Baumkernanalyse mit Röntgen-Computertomographie

An X-ray computed tomography (CT) toolchain is presented to obtain tree-ring width (TRW), maximum latewood density (MXD), other density parameters, and ...

In Tiefenanalysen der LEDs durch eine Kombination von Röntgen Computertomographie (CT) und Lichtmikroskopie (LM) korrelierte mit Rasterelektronenmikroskopie (SEM)

Zusammenfassung

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Vorbereitung adhärenter Zellen für die Röntgenfluoreszenzbildgebung durch chemische Fixierung

Energieröntgentomografie für 3D-Elementar Zuordnung einzelner Nanopartikel

Fehleranalyse von Batterien unter Verwendung Synchrotron-basierte Feströntgenmikrotomographie

Mit Synchrotronstrahlung Mikrotomographie Mehrskalige Dreidimensionale Mikroelektronische Bauteile zur Untersuchung

Niederenergetische Kathodolumineszenz für (Oxy) Nitride Phosphore

Umfassende Charakterisierung von ausgedehnten Defekten in Halbleitermaterialien durch ein Rasterelektronenmikroskop

Synchrotron Röntgenstrahl Microdiffraction und Fluoreszenz-Bildgebung von Mineral- und Gesteinsproben

Baumkernanalyse mit Röntgen-Computertomographie

Baumkernanalyse mit Röntgen-Computertomographie

Baumkernanalyse mit Röntgen-Computertomographie