12.11 :  Alan Etkili Transistör

Alan etkili transistörler (FET) elektronik devrelerin ayrılmaz bir parçasıdır ve üç terminalli kurulumlarıyla ayırt edilirler: kapı, drenaj ve kaynak. Bu transistörler, her iki tip taşıyıcıyı kullanan bipolar transistörlerin aksine, yük taşıyıcı olarak elektronları veya delikleri kullanan tek kutuplu cihazlar olarak çalışır. FET'in birincil işlevi, bu taşıyıcıların kaynaktan drenaja akışını bir kanal aracılığıyla modüle etmektir. Kapı ve kaynak terminalleri arasındaki voltaj farkı doğrudan bu kanalın iletkenliğini kontrol eder.

FET'ler, kapı diyotlarının yapısına göre Kavşak-FET'ler (JFET'ler), Metal-Yarıiletken FET'ler (MESFET'ler) ve Metal-Oksit-Yarıiletken FET'ler (MOSFET'ler) olarak genel olarak kategorize edilir. JFET'ler, kanal iletkenliğini kontrol etmek için kapı-kanal pn-kavşağını genişleterek çalışır, bu da onları daha düşük giriş empedansı nedeniyle analog devrelerde oldukça etkili kılar. Teması düzeltmek için metal yarı iletken diyotlar kullanan MESFET'ler, sağlam yüksek frekans tepkileri ve düşük üretim sıcaklıkları nedeniyle mikrodalga uygulamalarında tercih edilir. MOSFET'ler ise yüksek giriş empedansları ve dijital devrelerde sık uygulamalarıyla bilinen en yaygın türdür.

Her FET türü, kanalın yarı iletken malzemesine göre daha da ayırt edilebilir ve belirli teknolojik ihtiyaçları karşılar. FET'ler amplifikatörlerde, anahtarlarda ve voltaj regülatörlerinde yaygın olarak kullanılır. Tasarım avantajları arasında yüksek giriş empedansı, kompaktlık, düşük gürültü ve azaltılmış güç tüketimi yer alır; bu da onları birçok uygulamada geleneksel Çift Kutuplu Bağlantı Transistörlerine göre özellikle avantajlı kılar. Bu özellikler, FET'lerin çok çeşitli elektronik bileşenler ve sistemlerdeki çok yönlülüğünün ve kullanışlılığının altını çiziyor.