12.9 : מגברי BJT

In the active region of a common emitter NPN BJT, the emitter current is the sum of the base current and the collector current. Here, the base voltage controls the collector current in the BJT.

The output voltage across the collector is derived by subtracting the voltage drop across the load resistance from the supply voltage, producing an inverted output relative to the supply voltage.

The relation between collector voltage and base voltage gives the voltage-transfer characteristic curve of the common-emitter BJT amplifier.

It highlights the amplifier's active region, characterized by a steep slope for maximum gain but a nonlinear output voltage.

By applying a base-emitter DC voltage bias at the quiescent point within the active region, the BJT typically achieves nearly linear amplification.

When a small, time-varying signal is applied to the amplifier, it is superimposed on the DC bias voltage around the quiescent point.

So, the BJT operates within a short, nearly linear segment of the characteristic curve, resulting in an amplified output collector voltage.

טרנזיסטורים ביפולרים (BJT) הם רכיבים מרכזיים במעגלי מגבר, המתפקדים כמקורות זרם מבוקרים מתח באזור הפעיל שלהם. מאפיין זה מאפשר להם לשלוט ביעילות בזרם הקולט באמצעות שינויים במתח הבסיס-פולט. בעיקרו של דבר, BJTs מגבירים את הכוח בשל היכולת לקחת אות כניסה חלשה ולהוציא אות הרבה יותר חזקה.

בתצורות מגבר BJT, במיוחד בהגדרות של פולט משותף, תפקידו של הטרנזיסטור מתרחב להמרת טרנס- מוליכות להגברת מתח. המרה זו מושגת על ידי תיעול זרם המוצא דרך נגד. מתח המוצא של המגבר נקבע על ידי ירידת המתח על פני נגד עומס זה שמופחת ממתח האספקה. כתוצאה מכך, המגבר מייצר מתח מוצא הפוך, שהוא בעצם מתח הכניסה המוזז על ידי מתח האספקה. היפוך זה הוא סימן היכרות של מגברי פולט משותף.

עקומת העברת המתח האופיינית של מגבר BJT פולט משותף מספקת ייצוג חזותי של האופן שבו מתח קולט המוצא משתנה בתגובה לשינויים במתח בסיס הכניסה. יש לציין שהשיפוע התלול של העקומה באזור הפעיל מציין היכן הרווח המקסימלי מושג. עם זאת, אזור זה מציג גם אי-ליניאריות מסוימת למתח המוצא.

הטיית מתח DC של פולט בסיס מוגדרת בנקודת השקט (נקודת Q) בתוך האזור הפעיל להגברה יציבה וליניארית. כאשר אות קטן משתנה בזמן מופעל על הטיית DC זו, ה-BJT פועל בתוך קטע קטן, כמעט ליניארי, של העקומה האופיינית. זה גורם להגברה של מתח קולט המוצא. תצורה כזו חיונית להשגת ההגברה הרצויה תוך שמירה על שלמות צורת הגל של האות.

BJTs הם אבני בניין בסיסיות ליישומים אלקטרוניים שונים, במיוחד ביצירת מעגלי מגבר יעילים המשפרים את עוצמת האות ללא עיוות משמעותי.

Tags

Bipolar Junction Transistors BJT Amplifiers Common emitter Configuration Voltage controlled Current Source Voltage Amplification Transconductance Voltage transfer Characteristic Curve Quiescent Point Signal Amplification

From Chapter 12:

article

Now Playing

12.9 : מגברי BJT

Transistors

411 Views

article

12.1 : טרנזיסטור דו קוטבי

Transistors

596 Views

article

12.2 : תצורות של BJT

Transistors

389 Views

article

12.3 : עקרון העבודה של BJT

Transistors

401 Views

article

12.4 : מאפיינים של BJT

Transistors

636 Views

article

12.5 : דרכי פעולה של BJT

Transistors

975 Views

article

12.6 : תגובת תדר של BJT

Transistors

767 Views

article

12.7 : תדירות קטעון של BJT

Transistors

651 Views

article

12.8 : מיתוג BJTs

Transistors

365 Views

article

12.10 : ניתוח אותות קטנים של מגברי BJT

Transistors

1.0K Views

article

12.11 : טרנזיסטור אפקט שדה

Transistors

315 Views

article

12.12 : מאפייני JFET

Transistors

429 Views

article

12.13 : הטיה של FETs

Transistors

221 Views

article

12.14 : קבל MOS

Transistors

719 Views

article

12.15 : MOSFET

Transistors

429 Views

See More

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved