Caractérisation complète des défauts étendus dans les matériaux semi-conducteurs par un microscope électronique à balayage
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May 28th, 2016
DOI :
May 28th, 2016
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Title
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Sample Preparation for Cryo-cathodoluminescence Experiment
6:28
Performing Cross-correlation Electron Backscatter Diffraction Experiments
8:50
Results: Cathodoluminenscence and Strain Fields of Extended Defects in Silicon
2:06
Cryo-cathodoluminescence Experiment
10:19
Conclusion
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