12.4 : خصائص BJT

Consider the common-emitter configuration of the BJT.

The voltage and current dependencies are measured experimentally to understand the current-voltage characteristics.

For the input characteristics, the base-emitter voltage is varied while keeping the collector-emitter voltage constant.

The resulting graph shows the Shockley-type dependence of the collector current on the base-emitter voltage.

The output characteristics represent the collector current as a function of the collector-emitter voltage, keeping the base current constant.

The saturation region corresponds to a small collector-emitter voltage where the collector current drops towards zero. Here, the transistor's resistance between the collector and emitter terminals is small.

When the collector-emitter voltage increases, the transistor enters the active region. Here, the transistor's collector-emitter resistance becomes infinitely high while the collector current remains independent of the collector-emitter voltage.

However, in practice, a slight increase in the collector current is noticed, which is due to the widening of the depletion region and shortening of the base length.

This is known as the Early effect, leading to a finite output resistance of the transistor.

يُظهر ترانزستور التوصيل ثنائي القطب (BJT)، على وجه التحديد في تكوين باعث مشترك، خصائص مميزة لجهد التيار والتي تعد ضرورية لفهم سلوكه في الدوائر الإلكترونية. يتم تحديد هذه الخصائص من خلال القياسات التجريبية للجهد والعلاقات الحالية.

بالنسبة لخصائص الإدخال، يتم تغيير جهد الباعث الأساسي، مع الحفاظ على جهد ثابت بين المجمع والباعث. يكشف هذا الإعداد عن اعتماد نوع Shockley لتيار المجمع على جهد الباعث الأساسي. مع زيادة جهد الباعث الأساسي، يزداد أيضًا تيار المجمع، ولكن تحت ظروف خاضعة للتحكم لجهد ثابت بين المجمع والباعث.

يتم بعد ذلك ملاحظة خصائص الخرج من خلال رسم تيار المجمع مقابل جهد المجمع والباعث مع الحفاظ على تيار القاعدة ثابتًا. تسلط هذه العلاقة الضوء على العديد من المناطق التشغيلية لـ BJT. في منطقة التشبع، يكون جهد المجمع-الباعث منخفضًا، مما يتسبب في اقتراب تيار المجمع من الصفر، مما يشير إلى الحد الأدنى من المقاومة بين أطراف المجمع والباعث.

مع ارتفاع جهد المجمع-الباعث، ينتقل الترانزستور إلى المنطقة النشطة، مُظهرًا مقاومة عالية لا متناهية للمجمع-الباعث. يظل تيار المجمع مستقرًا نسبيًا بغض النظر عن التغيرات في جهد المجمع والباعث. ومع ذلك، يمكن ملاحظة زيادة طفيفة في تيار المجمع، وهو ما يمكن أن يعزى إلى التأثير المبكر. تتضمن هذه الظاهرة توسيع منطقة النضوب وتقليل عرض القاعدة، مما يزيد من تيار التشبع وبالتالي إدخال مقاومة خرج محدودة.

تحدد هذه الخصائص ظروف تشغيل وأداء BJTs في مختلف التطبيقات، مما يجعلها مكونات أساسية في تصميم وتحليل الدوائر الإلكترونية.

Tags

Bipolar Junction Transistor BJT Common emitter Configuration Current voltage Characteristics Input Characteristics Base emitter Voltage Collector emitter Voltage Collector Current Saturation Region Active Region Early Effect Depletion Region Base Width Output Resistance Electronic Circuits

From Chapter 12:

article

Now Playing

12.4 : خصائص BJT

Transistors

623 Views

article

12.1 : الترانزستور ثنائي القطب

Transistors

516 Views

article

12.2 : تكوينات BJT

Transistors

373 Views

article

12.3 : مبدأ عمل BJT

Transistors

380 Views

article

12.5 : طرق تشغيل BJT

Transistors

942 Views

article

12.6 : الاستجابة الترددية لـ BJT

Transistors

727 Views

article

12.7 : تردد القطع لـ BJT

Transistors

628 Views

article

12.8 : تبديل ترانزيستورات BJTs

Transistors

363 Views

article

12.9 : مكبرات الصوت BJT

Transistors

332 Views

article

12.10 : تحليل الإشارة الصغيرة لمضخمات BJT

Transistors

951 Views

article

12.11 : ترانزستور التأثير الميداني

Transistors

296 Views

article

12.12 : خصائص JFET

Transistors

368 Views

article

12.13 : انحياز FETs

Transistors

216 Views

article

12.14 : مكثف MOS

Transistors

699 Views

article

12.15 : ترانزستور الموسفيت

Transistors

417 Views

See More

Copyright © 2025 MyJoVE Corporation. All rights reserved