Name: flow-assisted dielectrophoresis: a low cost method for the fabrication of high performance solution-processable nanowire devices
Uploaded: 2017-12-07T14:00:00.000+00:00
Duration: 9 min 14 s
Description: Watch this Scientific Journal Video about Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices at JoVE.com

Yazarlar için mali destek ve Prof. Brian A. Korgel ESPRC ve BAE sistemleri ve grubu bu çalışmada kullanılan silikon nanowires yetiştirilen SFLS temini için teşekkür etmek istiyorum.

Dikkat: Tüm yordamları sürece aksi belirtilen gerçekleşecek bir temiz oda ortamı ve risk değerlendirme be bitmiş nanowires ve kimyasal işleme sırasında güvenliği sağlamak için. Nanomalzemeler güncelliği sağlık etkileri henüz bilinmiyor bir dizi var ve böylece uygun ile ele alınmalıdır21umurumda.
Not: Süreç DEP kişileri tanımlamak için ilk fotolitografi ve metal birikimi adımları tarafından takip yüzeylerde hazırlanması ile başlar. Nanowires sonra DEP ile monte edilir ve bir daha da isteğe bağlı ifade photolithographic ve metal adım nanowires üzerine en iyi kişiler yatırmak için gerçekleştirilebilir. Nanowire transistör aygıtların akım-gerilim özellikleri sonra bir yarıiletken karakterizasyon kiti kullanılarak ölçülür.
1. yüzeylerde hazırlanması
<ol><li>Katkılı n-katkılı silikon/Silikon dioksit gofret uygun boyutları, örneğin, 2.5 cm2kesti.</li>
	<li>Kesim sırasında gofret üst yüzeyi dokundu ya da çizik olun.</li>
	<li>Bir elmas scriber bir kesim yapmak için bir sürekli hareket yüzey üzerinde çalıştırın.</li>
	<li>Gofret kesme boyunca bölün.</li>
	<li>Örnekleri yer bir substrat tutucu ve 5 min % 100 güç (450 W) ultra sonik bir banyo, önce deiyonize su, sonra aseton ve son olarak isopropanol (IPA) için solüsyon içeren temizleyicide. Not: Tablo reçetesi CAS numaraları ve tedarikçiler için bkz.</li>
	<li>Kuru yüzeylerde yüzeyden herhangi bir kalan IPA veya toz kaldırmak için azot silahlı.</li>
	<li>Plazma kül 100 W 5 min için kalan herhangi bir organik artıkları kaldırmak için oksijen plazma örnekleri.</li>
</ol>2. fotolitografi Bilayer işlem kişiler için
Not: Bir bilayer fotolitografi süreç elektrot oluşturmak için kullanılır. Fotolitografi işleminin sarı bir odada fotorezist malzemelerin çürüğü önlemek için yapılır.
<ol><li>Örnek 15 dakika kalan herhangi bir su yüzeyindeki çıkarmak için bir aspiratör kullanarak 150 ° C'de ısı. Not: Bu fotorezist yapışma sağlamak içindir; Ancak HMDS gibi kimyasal Astar boyaları da kullanılabilir.</li>
	<li>Örnek sıcak plaka çıkarın ve spin coater yerleştirin.</li>
	<li>Tüm örnek düzgün kaplı kadar bir pipet kullanmadan, fotorezist A yaklaşık 1 mL yüzeyde bırak. Not: Tablo malzemeler kullanılan tam fotorezist için bakın.</li>
	<li>Örnek 4000 devirde 45 için spin bir film kalınlığı yaklaşık 250 üretmek için s, nm. Elektrotlar bu 150 kalın olup nm yatırılır, bu tarifi değiştirmek üzeresiniz.</li>
	<li>Örnek spin coater çıkarın ve 5 min için 150 ° C'de bir ocağın üzerine yerleştirin.</li>
	<li>Örnek ocağın kaldırmak ve örnek bir % 50 nem kutusunda 5 dk dinlenmeye bırakın. Bu sıvı fotorezist22sağlamaktır. Not: Laboratuar nem % 50'den büyükse, örnek havada dinlenmek için bırakılabilir.</li>
	<li>Örnek geri döndürme coater üzerine yerleştirin ve yaklaşık 1 mL substrat yüzeyinde fotorezist B pipet.</li>
	<li>Örnek 3500 devirde 45 için spin s, veren bir film kalınlığı yaklaşık 500 nm.</li>
	<li>Örnek 2 min için 120 ° C'de bir ocağın üzerine koyun.</li>
	<li>Örnek aspiratör ve 5 min için % 50 nem kutusunda dinlenmeye bırakın kaldırın.</li>
	<li>Bir maske-aligner ve UV ışığı photomask için 6,7 kullanarak örnek maruz s toplam 180 MJ maruz kalma. Not: Tam maruz kalma doz maskesi aligner belirli bir modeli bağlı olarak ayarlanması gerekebilir.</li>
	<li>Örnek maskesi aligner kaldırmak ve fotorezist geliştirici için 30 çeker tarafından geliştirmek s. Not: Malzemeler tablo tam geliştirici için bkz.</li>
	<li>Geliştiricinin yeri: örnek kaldırmak, örnek deiyonize su sokmak ve geliştirme süreci durdurmak için durulayın.</li>
	<li>Bir optik mikroskop kullanarak fotolitografi kontrol edin. Bir polarize hangi kanal etrafında hafif çizgiler olarak görüleceğini bilayer Hızar kontrol etmek için kullanılabilir. Eğer çok fazla zaman ayarlanabilir veya iki küçük kesme vuruşu elde edilir.</li>
</ol>3. Metal kişiler birikimi
Not: Elektron ışını (E-beam) ifade üzerine hazırlanan fotorezist elektrotlar yatırmak için kullanılır. Bu işlem de termal Evaporatör veya diğer türleri metal ince film biriktirme teknikleri kullanabilirsiniz.
<ol><li>Örnekleri E-beam odasında yerleştirin; yüksek vakum ulaşılana kadar aşağı pompa. Bu durumda, 1 x 10-6 mTorr bir vakum ulaşılır.</li>
	<li>2-6 nm bir yapışma katmanı gibi davranan titanyum 30 tarafından takip mevduat nm altın DEP kişiler için.</li>
	<li>Örnekleri E-beam odasından kaldırın.</li>
	<li>Fotorezist ve aşırı metal çoğunu kaldırarak kalkış yordamı gerçekleştirin. Bu örnekleri bir ölçek fotorezist sökücü 15 dakika içine yerleştirerek yapılır.</li>
	<li>Örnekleri fotorezist çıkarmak A kabı kaldır ve fotorezist sökücü daha fazla 15dk için başka bir temiz kabı içine yerleştirin. Bu örnek üzerinde yerleşme herhangi bir büyük metal parçacıklar önlemektir.</li>
	<li>% 50 güç 5 min için kabı sonicating tarafından tam kalkış.</li>
	<li>Örnekleri banyo tek tek, herhangi bir malzeme ile istenmeyen metal parçacıklar elektrotlar arasında yerleşme önlemek için IPA durulayın için sağlanması kaldırın. Not: Elektrotlar şimdi nanowires DEP hizalama için hazırlanır.</li>
</ol>4. Nanowires DEP
<ol><li>Silikon veya diğer nanowires yaklaşık 1 µg/mL konsantrasyonu ANISOL içinde bir çözüm hazırlamak. Bu deneyde, çözüm kısa bir süre için 15 sonicated en düşük güç herhangi bir flokülasyon kaldırılması mümkün ayarı s. Diğer solventler toluen ve N, N-dimethylformamide (DMF)1gibi kullanılabilir.</li>
	<li>Çözüm 10 µL kurban bir substrat üzerine nanowire formülasyon döküm damla ile kontrol edin.</li>
	<li>Belgili tanımlık substrate yatırılan nanowires polarize optik mikroskop (POM) kullanarak kontrol edin. Silikon nanowires birefringent ve bu nedenle kolayca POM içinde görülebilir. Eğer hiçbir nanowire kümeleri görünür ve sonra sonraki aşamada başlayabilirsiniz, aksi takdirde çözüm yeniden sonicated ve nanowire konsantrasyon ayarlanması gerekebilir nanowires çoğunu de yüzey üzerinde dağılmış. Bu doğru nanowire dağılım elde etmek için çeşitli girişimlerde alabilir.</li>
	<li>30° (vs ufuk) üzerine elektrotlar ile hazırlanan örnek eğimli platformu yatay aygıt kanal ile yerleştirin. Dağılım akış yönü daha verimli nanowire uyum sağlamak için elektrotlar kenarları dik olması gerekir.</li>
	<li>Mikro-sonda bir frekans jeneratör1' e bağlı kullanarak elektrotlar başvurun.</li>
	<li>Küme istenen frekans ve voltaj frekans jeneratörü vardır. Bu deneyde, DEP sinyal gerilim 10 V tepe-için-tepe ve 1 MHz sinüs kullanın. Not: sıklığı artan ilâ 20 MHz yüksek iletkenlik ve düşük tuzak yoğunluğu1,2nanowires toplamak için yardımcı olabilir. Ayrıntılı bilgi için başvuru1 bakın. Burada gösterildiği DEP sinyal frekans aralığı SFLS Si nanowires empedans spektroskopisi ve koleksiyon zaman analizi, yaparak başvuru1' de açıklandığı gibi elde edildi. Diğer türleri daha yüksek veya daha düşük ücret taşıyıcı hareketlilik ile nanowires nanowires katkılı veya diğer büyüme yöntemlerle elde edilen nanowires yüksek kaliteli nanowires koleksiyonunda kaynaklanan farklı DEP sinyal frekans aralığı olabilir.</li>
	<li>Frekans jeneratör anahtarı üzerinde ve yaklaşık 10 µL aygıt alanının üzerine bir micropipette kullanarak nanowire çözüm bırakın. Not: örnek bir açıyla (30 °) yerleştirerek bir yerçekimi destekli Yavaș Akıș sıvı oluşturmak için yardımcı olur. Alternatif olarak, bir kılcal eylem bir cam slayt kullanarak kullanılan6olabilir.</li>
	<li>DEP uygulamak 30 s ve sonra kapanma frekans jeneratör için sinyal.</li>
	<li>Örnek kaldır ve yavaşça IPA ile durulayın.</li>
	<li>Kuru-çok nazikçe bir azot silah kullanan örnek kapalı. Polarize optik mikroskop örnek incelemek ve parametrelerini ayarlamak için kullanılabilir Not: Nanowires, birkaç nanowires için bir kaç yüz aygıt1,2başına gelen bir tekrarlanabilir istenen yoğunluğu elde etmek için DEP sinyal gerilim, frekans ve nanowire dağılım yoğunluğu ayarlanabilir.</li>
</ol>5. ikincil bir Metal tabaka birikimi
<ol><li>Batı FET geliştirilmiş geçerli yerleştirmeye elde etmek için ikinci bir metalik temas nanowire üstüne uygulayın. Not: yalnızca altın katmanı yatırılır dışında bu kişi biriktirme işlemi olarak bölüm 2 ve 3, hem fotolitografi hem de metal biriktirme, tam olarak aynı adımları izler.</li>
</ol>6. ı-V Nanowire cihazlar karakterizasyonu
Not: Örnekleri Şimdi tam ve sonraki deneylerde kullanılan veya -V özellikleri nanowire FET elektriksel özellikleri kurmak için ölçülebilir. Arka kapı FET nerede katkılı silikon gofret ortak kapısı olarak hizmet vermektedir ve SiO2 katman kapısı Dielektrik hizmet vermektedir fabrikasyon aygıtlardır.
<ol><li>Kapaklı elektrik bağlantıya geçmek için küçük bir alanda bir elmas scriber kullanarak örnek kenarında Silisyum oksit kaldırın.</li>
	<li>Azot silah herhangi bir istenmeyen Silikon dioksit parçacıklar kaldırmak için kullanın.</li>
	<li>Üç microprobes (kaynak, drenaj ve kapısı) altın kaynak tüketen elektrot kişiler kapısı sonda kaldırılan SiO2alan üzerinde yerleştirin.</li>
	<li>Yarıiletken karakterizasyon sistemi-V ölçümler almak için kullanın.</li>
	<li>Bunlar cihazın performansını ve nanowires1,17,23elektriksel özellikleri hakkında bilgi vermek gibi Batı FET aktarımı ve çıkış taranmasını ölçmek. Aktarım ölçümleri adım kaynak tüketen gerilim ve süpürme geçit gerilim içerir unutmayın. Çıkış özellikleri kaynak tüketen gerilim süpürme ve gate gerilimi artırıyor ölçülür.</li>
</ol>

<ol>
	<li>Constantinou, M., Rigas, G. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Simultaneous+Tunable+Selection+and+Self-Assembly+of+Si+Nanowires+from+Heterogeneous+Feedstock.">Simultaneous Tunable Selection and Self-Assembly of Si Nanowires from Heterogeneous Feedstock.</a> ACS Nano. , (2016).</li><li>Constantinou, M., Hoettges, K. F., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+determination+of+nanowires+electrical+properties+using+a+dielectrophoresis-well+based+system.">Rapid determination of nanowires electrical properties using a dielectrophoresis-well based system.</a> App. Phy. Lett. 110 (13), 1-6 (2017).</li><li>Huang, H., Lee, Y. C., Tan, O. K., Zhou, W., Peng, N., Zhang, Q. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High+sensitivity+SnO2+single-nanorod+sensors+for+the+detection+of+H2+gas+at+low+temperature.">High sensitivity SnO2 single-nanorod sensors for the detection of H2 gas at low temperature.</a> Nanotech. 20 (11), 115501 (2009).</li><li>Rutherglen, C., Jain, D., Burke, P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanotube+electronics+for+radiofrequency+applications.">Nanotube electronics for radiofrequency applications.</a> Nat. nanotech. 4 (12), 811-819 (2009).</li><li>Kang, M. G., Hwang, D. H., Kim, B. S., Whang, D., Hwang, S. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=RF+characterization+of+germanium+nanowire+field+effect+transistors.">RF characterization of germanium nanowire field effect transistors.</a> AIP Conf. Proc. 1399 (2011), 319-320 (2011).</li><li>Collet, M., Salomon, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Large-scale+assembly+of+single+nanowires+through+capillary-assisted+dielectrophoresis.">Large-scale assembly of single nanowires through capillary-assisted dielectrophoresis.</a> Adv. Mat. 27 (7), 1268-1273 (2015).</li><li>Pethig, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoresis:+Status+of+the+theory,+technology,+and+applications.">Dielectrophoresis: Status of the theory, technology, and applications.</a> Biomicrofluidics. 4 (2), (2010).</li><li>Jones, T. B. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=.">.</a> Electromechanics of particles. (2), (1995).</li><li>El-Ali, J., Sorger, P. K., Jensen, K. F. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Cells+on+chips.">Cells on chips.</a> Nat. 442 (7101), 403-411 (2006).</li><li>Doh, I., Cho, Y. H. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=A+continuous+cell+separation+chip+using+hydrodynamic+dielectrophoresis+(DEP)+process.">A continuous cell separation chip using hydrodynamic dielectrophoresis (DEP) process.</a> Sensrs. and Actrs, A: Phys. 121 (1), 59-65 (2005).</li><li>Freer, E. M., Grachev, O., Duan, X., Martin, S., Stumbo, D. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=High-yield+self-limiting+single-nanowire+assembly+with+dielectrophoresis.">High-yield self-limiting single-nanowire assembly with dielectrophoresis.</a> Nat. nanotech. 5 (7), 525-530 (2010).</li><li>Monica, A. H., Papadakis, S. J., Osiander, R., Paranjape, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Wafer-level+assembly+of+carbon+nanotube+networks+using+dielectrophoresis.">Wafer-level assembly of carbon nanotube networks using dielectrophoresis.</a> Nanotech. 19, 85303 (2008).</li><li>Raychaudhuri, S., Dayeh, S. A., Wang, D., Yu, E. T. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Precise+semiconductor+nanowire+placement+through+dielectrophoresis.">Precise semiconductor nanowire placement through dielectrophoresis.</a> Nano Lett. 9 (6), 2260-2266 (2009).</li><li>Schmidt, V., Riel, H., Senz, S., Karg, S., Riess, W., G&#246;sele, U. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Realization+of+a+silicon+nanowire+vertical+surround-gate+field-effect+transistor.">Realization of a silicon nanowire vertical surround-gate field-effect transistor.</a> Small. 2 (1), 85-88 (2006).</li><li>Hanrath, T., Korgel, B. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Supercritical+fluid-liquid-solid+(SFLS)+synthesis+of+Si+and+Ge+nanowires+seeded+by+colloidal+metal+nanocrystals.">Supercritical fluid-liquid-solid (SFLS) synthesis of Si and Ge nanowires seeded by colloidal metal nanocrystals.</a> Adv. Mat. 15 (5), 437-440 (2003).</li><li>Heitsch, A. T., Akhavan, V. A., Korgel, B. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Rapid+SFLS+synthesis+of+Si+nanowires+using+trisilane+with+in+situ+alkyl-amine+passivation.">Rapid SFLS synthesis of Si nanowires using trisilane with in situ alkyl-amine passivation.</a> Chem. of Mat. 23 (11), 2697-2699 (2011).</li><li>Constantinou, M., Stolojan, V., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Interface+Passivation+and+Trap+Reduction+via+a+Solution-Based+Method+for+Near-Zero+Hysteresis+Nanowire+Field-Effect+Transistors.">Interface Passivation and Trap Reduction via a Solution-Based Method for Near-Zero Hysteresis Nanowire Field-Effect Transistors.</a> ACS App. Mat. and Intf. 7 (40), 22115-22120 (2015).</li><li>Kim, T. H., Lee, S. Y., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoretic+alignment+of+gallium+nitride+nanowires+(GaN+NWs)+for+use+in+device+applications.">Dielectrophoretic alignment of gallium nitride nanowires (GaN NWs) for use in device applications.</a> Nanotech. 17 (14), 3394-3399 (2006).</li><li>Boote, J., Evans, S. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Dielectrophoretic+manipulation+and+electrical+characterization+of+gold+nanowires.">Dielectrophoretic manipulation and electrical characterization of gold nanowires.</a> Nanotech. 16 (9), 1500-1505 (2005).</li><li>Gierhart, B. C., Howitt, D. G., Chen, S. J., Smith, R. L., Collins, S. D. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Frequency+Dependence+of+Gold+Nanoparticle+Superassembly+by+Dielectrophoresis.">Frequency Dependence of Gold Nanoparticle Superassembly by Dielectrophoresis.</a> Langmuir. 23 (19), 12450-12456 (2007).</li><li>Klaine, S. J., Alvarez, P. J. J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Nanomaterials+in+the+environment:+behavior,+fate,+bioavailability,+and+effects.">Nanomaterials in the environment: behavior, fate, bioavailability, and effects.</a> Environ. tox. and chem. / SETAC. 27 (9), 1825-1851 (2008).</li><li>van Tilburg, J. W. W., Algra, R. E., Immink, W. G. G., Verheijen, M., Bakkers, E. P. A. M., Kouwenhoven, L. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Surface+passivated+InAs/InP+core/shell+nanowires.">Surface passivated InAs/InP core/shell nanowires.</a> Semicond. Sci. and Tech. 25 (2), 24011 (2010).</li><li>Krupke, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/entrez/query.fcgi?db=PubMed&cmd=Search&doptcmdl=Citation&defaultField=Title+Word&term=Separation+of+Metallic+from+Semiconducting+Single-Walled+Carbon+Nanotubes.">Separation of Metallic from Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes.</a> Sci. 301 (5631), 344-347 (2003).</li></ol>

Yazarlar hiçbir çıkar çatışması olduğundan emin olun.

Başarılı imalat ve cihazların performansını birkaç anahtar etkenlere bağlı. Bunlar nanowire yoğunluğu ve dağıtım dahil formülasyonu, solvent, DEP sıklığı ve nanowires mevcut sayısını kontrol aygıtı elektrotlar1seçim.
Bir tekrarlanabilir çalışan cihazlar ulaşmada kritik adım nanowire formülasyonu olmadan küme veya kümeleri hazırlıktır. Formülasyon daha önce DEP nanowire dispersiyon korumak için ve kümeleri sayısını azaltmak içi...

Nano tanecikleri önceden tanımlanmış substrat konumlarda kontrol edilebilir ve tekrarlanabilir Meclisi yarıiletken veya yürütülmesi nano tanecikleri kullanan çözüm-işlem elektronik ve Fotonik aygıtların ana sorunlardan biri. Yüksek performanslı aygıtlar için tercihli boyutları ve dahil olmak üzere, örneğin belirli elektronik özellikleri, yüksek iletkenlik ve düşük yoğunluklu yüzey tuzak devletler ile nano tanecikleri belirleyebilmek son derece yararlı da sağlar. Nanomalzemeler büyüme, nanowire ve nanotüp malzemeleri de dahil olmak üzere önemli gelişmeler rağmen bazı varyasyonları nanopartikül özelliklerinin her zaman mevcuttur ve bir seçim adım1 nanoparçacık tabanlı aygıt performansını önemli ölçüde artırabilirsiniz ,2.
Bu çalışmada gösterilmiştir akış yoluyla DEP yöntemin amacı kontrol edilebilir yarıiletken nanowires derleme için yüksek performanslı nanowire alan etkili transistörler metalik kişiler üzerine göstererek yukarıdaki sorunları ele almaktır. DEP nanowire cihaz imalat nanowires, hizalama/nanowires yönünü ve nanowires DEP sinyal frekans seçimi ile istenen özellikleri1çeşitli konumlandırma dahil olmak üzere tek bir adımda birkaç sorunları çözer. DEP gaz sensörler3, transistörler1, değişen çok sayıda diğer cihazlar için kullanılan ve bakteri analiz7için konumlandırma için4,5, RF geçer.
DEP nanowires içinde kendinden montajlı elektrotlar8kaynaklanan üniform olmayan elektrik alanının uygulama yoluyla polarizable parçacıkların manipülasyon olduğunu. Yöntem aslında bakteri9,10 manipülasyon için geliştirildi ama yana nanowires ve Nanomalzemeler manipülasyon genişletti.
Geleneksel yukarıdan aşağıya teknikleri dayalı birden çok photomasking, iyon implantasyonu, tavlama ve Matlaştırma yüksek sıcaklık14, önemli ölçüde farklıdır yarı iletken cihaz imalat nano tanecikleri DEP çözüm işlenmesini sağlar adımları. Zaten sentezlenmiş nano tanecikleri DEP işleyen, düşük sıcaklık, aşağıdan yukarıya imalat tekniği11oldu. Bu yaklaşım büyük ölçekli nanowire cihazlar sıcaklığa duyarlı, esnek plastik yüzeylerde6,12,13de dahil olmak üzere hemen hemen herhangi bir yüzey monte edilebilir sağlar.
Bu eser, yüksek performanslı p-tipi silikon nanowire alan etkili transistörler akış yoluyla DEP kullanarak cihazlarında ve FET akım-gerilim nitelemesi yapılır. Bu çalışmada kullanılan silikon nanowires via süper akışkan sıvı katı (SFLS) yöntemi15,16yetiştirilmektedir. Nanowires kasten katkılı ve yaklaşık 10-50 µm uzunluğu ve 30-40 nm çapındadır. SFLS büyüme yöntemi çok cazip çünkü ölçeklenebilir nanowire malzemeler15miktarda sanayi sunabilir. Önerilen nanowire derleme metodoloji doğrudan etsin13, SnO23ve GaN18gibi diğer yarı iletken nanowire maddeler için geçerlidir. Teknik iletken nanowires19 hizalamak için ve nano tanecikleri elektrot aralıkları20arasında konumlandırmak için genişletilebilir.

<table><tbody><tr><td>Silicon/silicon dioxide wafer, CZ method growth, 100mm diameter,&amp;nbsp; 300 nm oxide thermal growth,&amp;nbsp; n-doped phosphorus</td><td>Si-Mat (Silicon materials)</td><td>-</td><td>http://si-mat.com/</td></tr><tr><td>Acetone (200ml)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>W332615</td><td>-</td></tr><tr><td>Isopropanol (200ml)</td><td>Sigma Aldrich</td><td>W292907</td><td>-</td></tr><tr><td>Deionised water (150ml)</td><td>On site supply</td><td>-</td><td>-</td></tr><tr><td>Photoresist (A) SF6 PMGI under etch photoresit (approx 1 ml per sample)</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/pdf/PMGI-Resists-data-sheetV-rhcedit-102206.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist (B) S1805 photoresit) (approx 1 ml per sample)</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://www.microchem.com/PDFs_Dow/S1800.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist developer Microposit&amp;nbsp; MF319&amp;nbsp; (100ml)</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://microchem.com/products/images/uploads/MF_319_Data_Sheet.pdf</td></tr><tr><td>Photoresist remover Microposit remover 1165 (300ml (2 baths 150 each))</td><td>Microchem&amp;nbsp;</td><td>-</td><td>http://micromaterialstech.com/wp-content/dow_electronic_materials/datasheets/1165_Remover.pdf</td></tr></tbody></table>

flow-assisted dielectrophoresis: a low cost method for the fabrication of high performance solution-processable nanowire devices

Akış yoluyla dielectrophoresis (DEP) bir verimli kendinden montajlı yöntemi için kontrol edilebilir ve tekrarlanabilir konumlandırma, hizalama ve nanowires seçim olduğunu. DEP nanowire analizi, karakterizasyonu ve çözüm tabanlı imalatı yarıiletken aygıtlar için kullanılır. Yöntem alternatif elektrik alan metal elektrot arasındaki uygulayarak çalışır. Nanowire formülasyonu sonra yerçekimi kullanarak formülün bir akışı oluşturmak için bir eğimli yüzeyde olan elektrot üzerine düştü. Nanowires sonra elektrik alanı ve sıvı akış yönünü degrade boyunca hizalayın. Alanın frekans nanowires üstün iletkenlik ve alt tuzak yoğunluğu ile seçmek için ayarlanabilir.
Bu çalışmada, akış yoluyla DEP nanowire alan etkili transistörler oluşturmak için kullanılır. DEP akış yoluyla çeşitli avantajları vardır: elektriksel özellikleri; nanowire yelpazesi sağlar nanowire uzunluk kontrolünü; nanowires belirli alanlarda yerleşimini; nanowires yönünü kontrolünü; ve kontrol nanowire yoğunluğu içinde belgili tanımlık aygıt.
Teknik gaz sensörler ve mikrodalga anahtarları gibi diğer birçok uygulama için genişletilebilir. Teknik verimli, hızlı, tekrarlanabilir ve seyreltik çözüm roman Nanomalzemeler test etmek için ideal hale az miktarda kullanır. Gofret ölçek derleme nanowire cihazların da elde edilebilir bu tekniği kullanarak çok sayıda örnekleri test etmek için izin ve geniş alan elektronik uygulamaları.

Bilayer fotolitografi sonuçlarında temiz keskin elektrotlar tanımlı. Örneğin (şekil 1A), kanal uzunluğu 10 µm ile arası digitated parmak yapısı kullanılmıştır. Bu yapıların DEP kuvvet uygulandığında nanowires en fazla kaç birleştirmek geniş bir alan sağlar. Şekil 1B bir şematik bir alt geçit nanowire FET cihazın gösterir.
Yanlış nanowire ...

Watch this Scientific Journal Video about Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices at JoVE.com

Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Bu kağıt, yardımlı dielectrophoresis için gösterdi akışı nanowire cihazların kendinden montajlı. Bir silikon nanowire alan etkili transistör imalatı örnek olarak gösterilir.

Akış yoluyla Dielectrophoresis: Yüksek performanslı çözüm processable Nanowire cihazları imalatı için düşük maliyetli bir yöntem

Flow-assisted dielectrophoresis (DEP) is an efficient self-assembly method for the controllable and reproducible positioning, alignment, and selection of ...

flow-assisted-dielectrophoresis-low-cost-method-for-fabrication-high

Universidad San Sebastian

Research

JoVE Journal

Engineering

7.6K Görüntüleme.  University of Surrey. Bu kağıt, yardımlı dielectrophoresis için gösterdi akışı nanowire cihazların kendinden montajlı. Bir silikon nanowire alan etkili transistör imalatı örnek olarak gösterilir.

Video: Flow-assisted Dielectrophoresis: A Low Cost Method for the Fabrication of High Performance Solution-processable Nanowire Devices

Fabricating Nanogaps by Nanoskiving

There are several methods of fabricating nanogaps with controlled spacings, but the precise control over the sub-nanometer spacing between two electrodes-and generating them in practical quantities-is still challenging. The preparation of nanogap electrodes using nanoskiving, which is a form of edge lithography, is a fast, simple and powerful technique. This method is an entirely mechanical process which does not include any photo- or electron-beam lithographic steps and does not require any special equipment or infrastructure such as clean rooms. Nanoskiving is used to fabricate electrically addressable nanogaps with control over all three dimensions; the smallest dimension of these structures is defined by the thickness of the sacrificial layer (Al or Ag) or self-assembled monolayers. These wires can be manually positioned by transporting them on drops of water and are directly electrically-addressable; no further lithography is required to connect them to an electrometer.

The fabrication of electrically addressable, high-aspect-ratio (> 1000:1) metal nanowires separated by gaps of single nanometers using either sacrificial layers of aluminum and silver or self-assembled monolayers as templates is described. These nanogap structures are fabricated without a clean room or any photo- or electron-beam lithographic processes by a form of edge lithography known as nanoskiving.

Nanoskiving tarafından Nanogaps imalatı

There are several methods of fabricating nanogaps with controlled spacings, but the precise control over the sub-nanometer spacing between two ...

Kimya

Ultrahigh Density Array of Vertically Aligned Small-molecular Organic Nanowires on Arbitrary Substrates

In recent years &pi;-conjugated organic semiconductors have emerged as the active material in a number of diverse applications including large-area, low-cost displays, photovoltaics, printable and flexible electronics and organic spin valves. Organics allow (a) low-cost, low-temperature processing and (b) molecular-level design of electronic, optical and spin transport characteristics. Such features are not readily available for mainstream inorganic semiconductors, which have enabled organics to carve a niche in the silicon-dominated electronics market. The first generation of organic-based devices has focused on thin film geometries, grown by physical vapor deposition or solution processing. However, it has been realized that organic nanostructures can be used to enhance performance of above-mentioned applications and significant effort has been invested in exploring methods for organic nanostructure fabrication.	
A particularly interesting class of organic nanostructures is the one in which vertically oriented organic nanowires, nanorods or nanotubes are organized in a well-regimented, high-density array. Such structures are highly versatile and are ideal morphological architectures for various applications such as chemical sensors, split-dipole nanoantennas, photovoltaic devices with radially heterostructured "core-shell" nanowires, and memory devices with a cross-point geometry. Such architecture is generally realized by a template-directed approach. In the past this method has been used to grow metal and inorganic semiconductor nanowire arrays. More recently &pi;-conjugated polymer nanowires have been grown within nanoporous templates. However, these approaches have had limited success in growing nanowires of technologically important &pi;-conjugated small molecular weight organics, such as tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), rubrene and methanofullerenes, which are commonly used in diverse areas including organic displays, photovoltaics, thin film transistors and spintronics.	
Recently we have been able to address the above-mentioned issue by employing a novel "centrifugation-assisted" approach. This method therefore broadens the spectrum of organic materials that can be patterned in a vertically ordered nanowire array. Due to the technological importance of Alq3, rubrene and methanofullerenes, our method can be used to explore how the nanostructuring of these materials affects the performance of aforementioned organic devices. The purpose of this article is to describe the technical details of the above-mentioned protocol, demonstrate how this process can be extended to grow small-molecular organic nanowires on arbitrary substrates and finally, to discuss the critical steps, limitations, possible modifications, trouble-shooting and future applications.

We report a simple method for fabricating an ultrahigh density array of vertically ordered small-molecular organic nanowires. This method allows for synthesis of complex heterostructured hybrid nanowire geometries, which can be inexpensively grown on arbitrary substrates. These structures have potential applications in organic electronics, optoelectronics, chemical sensing, photovoltaics and spintronics.

Keyfi Yüzeyler üzerinde Dikey dizilmiş Küçük-moleküler Organik Nanoteller bir ultra yüksek Yoğunluk Dizi

In  recent years &pi;-conjugated  organic semiconductors have emerged as the active material in a number of  diverse applications including large-area, ...

Mühendislik

Monolayer Contact Doping of Silicon Surfaces and Nanowires Using Organophosphorus Compounds

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra shallow and sharp doping profiles at the nanometer scale. In MLCD process the dopant source is a monolayer containing dopant atoms.
In this article a detailed procedure for surface doping of silicon substrate as well as silicon nanowires is demonstrated. Phosphorus dopant source was formed using tetraethyl methylenediphosphonate monolayer on a silicon substrate. This monolayer containing substrate was brought to contact with a pristine intrinsic silicon target substrate and annealed while in contact. Sheet resistance of the target substrate was measured using 4 point probe. Intrinsic silicon nanowires were synthesized by chemical vapor deposition (CVD) process using a vapor-liquid-solid (VLS) mechanism; gold nanoparticles were used as catalyst for nanowire growth. The nanowires were suspended in ethanol by mild sonication. This suspension was used to dropcast the nanowires on silicon substrate with a silicon nitride dielectric top layer. These nanowires were doped with phosphorus in similar manner as used for the intrinsic silicon wafer. Standard photolithography process was used to fabricate metal electrodes for the formation of nanowire based field effect transistor (NW-FET). The electrical properties of a representative nanowire device were measured by a semiconductor device analyzer and a probe station.

A detailed procedure for surface doping of Silicon interfaces is provided. The ultra-shallow surface doping is demonstrated by using phosphorus containing monolayers and rapid annealing process. The method can be used for doping of macroscopic area surfaces as well as nanostructures.

Organofosfor Bileşikleri Kullanma Silikon Yüzeyler ve Nanotellerin monolayer İletişim Doping

Monolayer Contact Doping (MLCD) is a simple method for doping of surfaces and nanostructures1. MLCD results in the formation of highly controlled, ultra ...

Evaluating Plasmonic Transport in Current-carrying Silver Nanowires

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information support1,2,3. In this context, metal nanowires are especially desirable for realizing dense routing networks4. A prerequisite to operate such shared nanowire-based platform relies on our ability to electrically contact individual metal nanowires and efficiently excite surface plasmon polaritons5 in this information support. In this article, we describe a protocol to bring electrical terminals to chemically-synthesized silver nanowires6 randomly distributed on a glass substrate7. The positions of the nanowire ends with respect to predefined landmarks are precisely located using standard optical transmission microscopy before encapsulation in an electron-sensitive resist. Trenches representing the electrode layout are subsequently designed by electron-beam lithography. Metal electrodes are then fabricated by thermally evaporating a Cr/Au layer followed by a chemical lift-off. The contacted silver nanowires are finally transferred to a leakage radiation microscope for surface plasmon excitation and characterization8,9. Surface plasmons are launched in the nanowires by focusing a near infrared laser beam on a diffraction-limited spot overlapping one nanowire extremity5,9. For sufficiently large nanowires, the surface plasmon mode leaks into the glass substrate9,10. This leakage radiation is readily detected, imaged, and analyzed in the different conjugate planes in leakage radiation microscopy9,11. The electrical terminals do not affect the plasmon propagation. However, a current-induced morphological deterioration of the nanowire drastically degrades the flow of surface plasmons. The combination of surface plasmon leakage radiation microscopy with a simultaneous analysis of the nanowire electrical transport characteristics reveals the intrinsic limitations of such plasmonic circuitry.

Silver nanowires can simultaneously transport electrons and optical information in the form of surface plasmons. A procedure is described here to realize such a shared circuitry and the limitations at propagating both information carriers are evaluated.

Plasmonics is an emerging technology capable of simultaneously transporting a plasmonic signal and an electronic signal on the same information ...

Fabrication of Carbon Nanotube High-Frequency Nanoelectronic Biosensor for Sensing in High Ionic Strength Solutions

The unique electronic properties and high surface-to-volume ratios of single-walled carbon nanotubes (SWNT) and semiconductor nanowires (NW) 1-4 make them good candidates for high sensitivity biosensors. When a charged molecule binds to such a sensor surface, it alters the carrier density5 in the sensor, resulting in changes in its DC conductance. However, in an ionic solution a charged surface also attracts counter-ions from the solution, forming an electrical double layer (EDL). This EDL effectively screens off the charge, and in physiologically relevant conditions ~100 millimolar (mM), the characteristic charge screening length (Debye length) is less than a nanometer (nm). Thus, in high ionic strength solutions, charge based (DC) detection is fundamentally impeded6-8.
We overcome charge screening effects by detecting molecular dipoles rather than charges at high frequency, by operating carbon nanotube field effect transistors as high frequency mixers9-11. At high frequencies, the AC drive force can no longer overcome the solution drag and the ions in solution do not have sufficient time to form the EDL. Further, frequency mixing technique allows us to operate at frequencies high enough to overcome ionic screening, and yet detect the sensing signals at lower frequencies11-12. Also, the high transconductance of SWNT transistors provides an internal gain for the sensing signal, which obviates the need for external signal amplifier.
Here, we describe the protocol to (a) fabricate SWNT transistors, (b) functionalize biomolecules to the nanotube13, (c) design and stamp a poly-dimethylsiloxane (PDMS) micro-fluidic chamber14 onto the device, and (d) carry out high frequency sensing in different ionic strength solutions11.

We describe the device fabrication and measurement protocol for carbon nanotube based high frequency biosensors. The high frequency sensing technique mitigates the fundamental ionic (Debye) screening effect and allows nanotube biosensor to be operated in high ionic strength solutions where conventional electronic biosensors fail. Our technology provides a unique platform for point-of-care (POC) electronic biosensors operating in physiologically relevant conditions.

Yüksek İyonik Güç Çözümleri Algılama için karbon Nanotube Yüksek Frekans nanoelektronik Biyosensör Fabrikasyon

The unique electronic properties and high surface-to-volume ratios of single-walled carbon nanotubes (SWNT) and semiconductor nanowires (NW) 1-4 make them ...

Biyomühendislik

Creating Sub-50 Nm Nanofluidic Junctions in PDMS Microfluidic Chip via Self-Assembly Process of Colloidal Particles

Polydimethylsiloxane (PDMS) is the prevailing building material to make microfluidic devices due to its ease of molding and bonding as well as its transparency. Due to the softness of the PDMS material, however, it is challenging to use PDMS for building nanochannels. The channels tend to collapse easily during plasma bonding. In this paper, we present an evaporation-driven self-assembly method of silica colloidal nanoparticles to create nanofluidic junctions with sub-50 nm pores between two microchannels. The pore size as well as the surface charge of the nanofluidic junction is tunable simply by changing the colloidal silica bead size and surface functionalization outside of the assembled microfluidic device in a vial before the self-assembly process. Using the self-assembly of nanoparticles with a bead size of 300 nm, 500 nm, and 900 nm, it was possible to fabricate a porous membrane with a pore size of ~45 nm, ~75 nm and ~135 nm, respectively. Under electrical potential, this nanoporous membrane initiated ion concentration polarization (ICP) acting as a cation-selective membrane to concentrate DNA by ~1,700 times within 15 min. This non-lithographic nanofabrication process opens up a new opportunity to build a tunable nanofluidic junction for the study of nanoscale transport processes of ions and molecules inside a PDMS microfluidic chip.

We propose a simple self-assembly technique of silica colloidal nanoparticles to create a nanofluidic junction between two microchannels in polydimethylsiloxane (PDMS). Using this technique, a nanoporous bead membrane with a pore size down to ~45 nm was built inside a microchannel and applied to electrokinetic preconcentration of DNA samples.

Kolloidal Parçacıkların Öz-Montaj Süreci yoluyla PDMS mikroakışkan Chip Sub-50 Nm Nanofluidic Junctions oluşturma

Polydimethylsiloxane (PDMS) is the prevailing building material to make microfluidic devices due to its ease of molding and bonding as well as its ...

Fabrication of Fully Solution Processed Inorganic Nanocrystal Photovoltaic Devices

We demonstrate a method for the preparation of fully solution processed inorganic solar cells from a spin and spray coating deposition of nanocrystal inks. For the photoactive absorber layer, colloidal CdTe and CdSe nanocrystals (3-5 nm) are synthesized using an inert hot injection technique and cleaned with precipitations to remove excess starting reagents. Similarly, gold nanocrystals (3-5 nm) are synthesized under ambient conditions and dissolved in organic solvents. In addition, precursor solutions for transparent conductive indium tin oxide (ITO) films are prepared from solutions of indium and tin salts paired with a reactive oxidizer. Layer-by-layer, these solutions are deposited onto a glass substrate following annealing (200-400 &#176;C) to build the nanocrystal solar cell (glass/ITO/CdSe/CdTe/Au). Pre-annealing ligand exchange is required for CdSe and CdTe nanocrystals where films are dipped in NH4Cl:methanol to replace long-chain native ligands with small inorganic Cl- anions. NH4Cl(s) was found to act as a catalyst for the sintering reaction (as a non-toxic alternative to the conventional CdCl2(s) treatment) leading to grain growth (136&#177;39 nm) during heating. The thickness and roughness of the prepared films are characterized with SEM and optical profilometry. FTIR is used to determine the degree of ligand exchange prior to sintering, and XRD is used to verify the crystallinity and phase of each material. UV/Vis spectra show high visible light transmission through the ITO layer and a red shift in the absorbance of the cadmium chalcogenide nanocrystals after thermal annealing. Current-voltage curves of completed devices are measured under simulated one sun illumination. Small differences in deposition techniques and reagents employed during ligand exchange have been shown to have a profound influence on the device properties. Here, we examine the effects of chemical (sintering and ligand exchange agents) and physical treatments (solution concentration, spray-pressure, annealing time and annealing temperature) on photovoltaic device performance.

This protocol describes the synthesis and solution deposition of inorganic nanocrystals layer by layer to produce thin film electronics on non-conductive surfaces. Solvent-stabilized inks can produce complete photovoltaic devices on glass substrates via spin and spray coating following post-deposition ligand exchange and sintering.

Tam Çözüm İşlenmiş İnorganik nanokristal Fotovoltaik Cihazlarının İmalatı

We demonstrate a method for the preparation of fully solution processed inorganic solar cells from a spin and spray coating deposition of nanocrystal ...

Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating

A method of carrier number control by electrolyte gating is demonstrated. We have obtained WS2 thin flakes with atomically flat surface via scotch tape method or individual WS2 nanotubes by dispersing the suspension of WS2 nanotubes. The selected samples have been fabricated into devices by the use of the electron beam lithography and electrolyte is put on the devices. We have characterized the electronic properties of the devices under applying the gate voltage. In the small gate voltage region, ions in the electrolyte are accumulated on the surface of the samples which leads to the large electric potential drop and resultant electrostatic carrier doping at the interface. Ambipolar transfer curve has been observed in this electrostatic doping region. When the gate voltage is further increased, we met another drastic increase of source-drain current which implies that ions are intercalated into layers of WS2 and electrochemical carrier doping is realized. In such electrochemical doping region, superconductivity has been observed. The focused technique provides a powerful strategy for achieving the electric-filed-induced quantum phase transition.

Electric-field Control of Electronic States in WS2 Nanodevices by Electrolyte Gating

Here, we present a protocol to control the carrier number in solids by using the electrolyte.

Elektrik alanı kontrol elektronik elektrolit çoğunluğuna tarafından WS2 Nanodevices durumlarda

A method of carrier number control by electrolyte gating is demonstrated. We have obtained WS2 thin flakes with atomically flat surface via scotch tape ...

A Standard and Reliable Method to Fabricate Two-Dimensional Nanoelectronics

Two-dimensional (2D) materials have attracted huge attention due to their unique properties and potential applications. Since wafer scale synthesis of 2D materials is still in nascent stages, scientists cannot fully rely on traditional semiconductor techniques for related research. Delicate processes from locating the materials to electrode definition need to be well controlled. In this article, a universal fabrication protocol required in manufacturing nanoscale electronics, such as 2D quasi-heterojunction bipolar transistors (Q-HBT), and 2D back-gated transistors are demonstrated. This protocol includes the determination of material position, electron beam lithography (EBL), metal electrode definition, et al. A step by step narrative of the fabrication procedures for these devices are also presented. Furthermore, results show that each of the fabricated devices has achieved high performance with high repeatability. This work reveals a comprehensive description of process flow for preparing 2D nano-electronics, enables the research groups to access this information, and pave the way toward future electronics.

The article aims to introduce a standard and reliable fabrication procedure for the development of future low dimensional nanoelectronics.

İki boyutlu nanoelektronik imal etmek standart ve güvenilir bir yöntem

Two-dimensional (2D) materials have attracted huge attention due to their unique properties and potential applications. Since wafer scale synthesis of 2D ...

Iron Nanowire Fabrication by Nano-Porous Anodized Aluminum and its Characterization

Magnetic nanowires possess unique properties that have attracted the interest of different fields of research, including basic physics, biomedicine, and data storage. We demonstrate a fabrication method for iron (Fe) nanowires&#160;via electrochemical deposition into anodic&#160;alumina oxide (AAO) templates. The templates are fabricated by anodization of aluminum (Al) discs, and the pore length and diameter are controlled by changing the anodizing conditions. Pores with an average diameter of around 120 nm are created using oxalic acid as the electrolyte. Using this method, cylindrical nanowires are synthesized, which are released by dissolving the alumina using a selective chemical etchant.

In this work, we describe a&#160;protocol to fabricate iron nanowires, including the formation of the porous alumina membrane that is used as the template, electrodeposition into templates using electrolyte solution, and the release of the nanowires into the solution.

Nano-Gözenekli Anodize Alüminyum ve Karakterizasyonu ile Demir Nanowire İmalatı

Magnetic nanowires possess unique properties that have attracted the interest of different fields of research, including basic physics, biomedicine, and ...